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제1 반도체층;다중 양자 우물 구조층;제2 반도체층; 및상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층 상에 형성되는 전도체층을 포함하고,상기 전도체층은 상기 전도체층이 정렬될 전극 패턴 상에서 상기 전극 패턴의 두 개의 전극 사이에 상기 다중 양자 우물 구조층이 위치하도록 길이 및 형태가 제어되는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 반도체층과 상기 전도체층 사이에서 오믹 컨택층; 및상기 제1 반도체층, 상기 다중 양자 우물 구조층 및 상기 제2 반도체층의 양 측면에 형성되는 패시베이션(passivation)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전도체층은 상기 적어도 하나의 반도체층의 상부에 일측으로 기울어진 형태, 상기 적어도 하나의 반도체층과 나란한 형태, 지그재그 형태 중 어느 하나의 형태로 제어되는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전극 패턴은 IDT(interdigitated pattern) 패턴 및 원형 패턴 중 적어도 하나의 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전도체층은 전기도금 방법, 스퍼터링 방법 및 열증착 방법 중 적어도 하나의 방법을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제2 반도체층, 상기 다중 양자 우물 구조층 및 상기 제1 반도체층은 기판을 기준으로 순차적으로 형성되어 수직 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 나노로드 발광소자
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 p형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(p-GaN)으로서, 정공을 공급하고,상기 제2 반도체층은 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(n-GaN)으로서, 전자를 공급하는 것을 특징으로 하는 나노로드 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전도체층은 ITO(Indium Tin Oxide) 및 금속 물질 중 적어도 하나의 전도성 물질로 형성되는나노로드 발광소자
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기판 상에 제2 반도체층, 다중 양자 우물 구조층 및 제1 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2 반도체층, 상기 다중 양자 우물 구조층, 상기 제1 반도체층 중 상기 제2 반도체층의 일부가 가려지도록 제1 증착방지층을 형성하고, 상기 제1 증착방지층 상에 패시베이션(passivation)층을 코팅하는 단계;상기 제1 반도체층의 상부에서 상기 코팅된 상기 패시베이션(passivation)층을 에칭(etching)하는 단계; 및상기 제1 증착방지층 상에 제2 증착방지층을 형성하고, 상기 제1 반도체층의 상부에 전도체를 증착하되, 제1 전도체층이 정렬될 전극 패턴 상에서 상기 전극 패턴의 두 개의 전극 사이에 상기 다중 양자 우물 구조층이 위치하도록 길이 및 형태를 제어하여 상기 제1 전도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 전도체층이 형성된 후, 상기 제1 증착방지층 및 상기 제2 증착방지층을 제거하는 단계;상기 기판을 리프트 오프(lift-off)하면서 상기 제2 반도체층의 상부가 노출되도록 상기 제2 반도체층을 에칭하는 단계; 및제3 증착방지층을 형성한 후 상기 제2 반도체층의 상부에 전도체를 증착하되, 상기 두 개의 전극 사이에 상기 다중 양자 우물 구조층이 위치하도록 길이 및 형태를 제어하여 제2 전도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전도체층을 형성하는 단계는,나노로드 발광소자의 제조 샘플이 일측으로 기울어진 상태에서 전도체를 기준보다 두껍게 증착하여 상기 일측으로 기울어진 형태의 제1 전도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전도체층을 형성하는 단계는,나노로드 발광소자의 제조 샘플을 회전하는 상태에서 상기 제1 반도체층과 나란한 형태의 제1 전도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제1 전도체층을 형성하는 단계는,나노로드 발광소자의 제조 샘플을 회전하는 상태에서 전도체를 기준보다 두껍게 증착하여 지그재그 형태의 제1 전도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 전극 패턴은 IDT(interdigitated pattern) 패턴 및 원형 패턴 중 적어도 하나의 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는나노로드 발광소자의 제조 방법
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제1 전극과 제2 전극을 포함하는 전극 패턴 상에 정렬된 복수의 나노로드 발광소자를 포함하는 디스플레이에 있어서,제1 반도체층, 다중 양자 우물 구조층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 중 적어도 하나의 반도체층 상에 형성되는 전도체층을 포함하고, 상기 전도체층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 다중 양자 우물 구조층이 위치하도록 길이 및 형태가 제어되는 복수의 발광소자를 포함하는 것을 특징으로 하는디스플레이
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제15항에 있어서,상기 전극 패턴은 IDT(interdigitated pattern) 패턴 및 원형 패턴 중 적어도 하나의 전극 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는디스플레이
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제15항에 있어서,상기 제1 반도체층은 p형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(p-GaN)으로서, 정공을 공급하고,상기 제2 반도체층은 n형 불순물이 도핑된 질화갈륨(GaN) 반도체층(n-GaN)으로서, 전자를 공급하는 것을 특징으로 하는디스플레이
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제15항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 전도체층 중 제1 전도체층과 접촉되고,상기 제2 전극은 상기 전도체층 중 제2 전도체층과 접촉되는 것을 특징으로 하는디스플레이
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