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태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022007385
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판; 상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층; 및 상기 에미터층 일면 상에 배치된 냉각층을 포함하고, 상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지 및 이의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 31/052 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/052(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020200160167 (2020.11.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0072494 (2022.06.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.25)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해석 서울특별시 송파구
2 강윤묵 서울특별시 성북구
3 이승우 서울특별시 중랑구
4 최훈주 세종특별자치시 다정
5 오원욱 서울특별시 서초구
6 김현호 경기도 남양
7 박현정 서울특별시 강서구
8 정유진 서울특별시 동대문구
9 심명섭 서울특별시 성북구
10 최동진 경상남도 진주시 초북로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1271112-01
2 보정요구서
Request for Amendment
2020.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0182605-02
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2020-1316844-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.11.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층; 및상기 에미터층 일면 상에 배치된 냉각층을 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지
3 3
제 2항에 있어서,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지
4 4
제 2항에 있어서,상기 에미터층과 상기 냉각층 사이에 배치된 반사 방지막 및상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면 전극을 더 포함하는 태양전지
5 5
제 2항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지
6 6
반도체 기판;상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층; 및상기 반도체 기판의 타면 상에 배치된 냉각층을 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지
7 7
제 6항에 있어서,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지
8 8
제 7항에 있어서,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지
9 9
제 7항에 있어서,상기 에미터층과 상기 냉각층 사이에 배치된 반사 방지막 및상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면 전극을 더 포함하는 태양전지
10 10
제 7항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지
11 11
반도체 기판의 일면 상에 에미터층을 배치하는 단계; 및상기 에미터층 일면 상 또는 상기 기판의 타면 상에 냉각층을 배치하는 단계를 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지의 제조 방법
14 14
제 12항에 있어서,상기 냉각층을 배치하는 단계 이전에, 상기 에미터층의 일면 상에 직접 반사 방지막을 배치하는 단계; 및상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하도록 전면 전극을 배치하는 단계를 더 포함하고,상기 냉각층을 배치하는 단계에서는, 상기 반사 방지막의 일면 상에 상기 냉각층을 배치하는 태양전지의 제조 방법
15 15
제 12항에 있어서,상기 에미터층의 일면 상에 직접 반사 방지막을 배치하는 단계; 및상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하도록 전면 전극을 배치하는 단계를 더 포함하고,상기 냉각층을 배치하는 단계에서는, 상기 기판의 타면 상에 상기 냉각층을 배치하는 태양전지의 제조 방법
16 16
제 12항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 고려대학교산학협력단 신재생에너지핵심기술개발(R&D) 고장메커니즘 기반 결정질 p-type 실리콘 태양전지 및 모듈 구성요소의 열화 원인 규명 및 개선
2 산업통상자원부 고려대학교산학협력단 에너지인력양성(R&D) 에너지-AI 융합대학원 (태양에너지-AI 융합공학과)