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반도체 기판;상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층; 및상기 에미터층 일면 상에 배치된 냉각층을 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 에미터층과 상기 냉각층 사이에 배치된 반사 방지막 및상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면 전극을 더 포함하는 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지
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반도체 기판;상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층; 및상기 반도체 기판의 타면 상에 배치된 냉각층을 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지
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7
제 6항에 있어서,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지
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제 7항에 있어서,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지
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9
제 7항에 있어서,상기 에미터층과 상기 냉각층 사이에 배치된 반사 방지막 및상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면 전극을 더 포함하는 태양전지
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10
제 7항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지
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반도체 기판의 일면 상에 에미터층을 배치하는 단계; 및상기 에미터층 일면 상 또는 상기 기판의 타면 상에 냉각층을 배치하는 단계를 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하는 태양전지의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 냉각층을 배치하는 단계 이전에, 상기 에미터층의 일면 상에 직접 반사 방지막을 배치하는 단계; 및상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하도록 전면 전극을 배치하는 단계를 더 포함하고,상기 냉각층을 배치하는 단계에서는, 상기 반사 방지막의 일면 상에 상기 냉각층을 배치하는 태양전지의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 에미터층의 일면 상에 직접 반사 방지막을 배치하는 단계; 및상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하도록 전면 전극을 배치하는 단계를 더 포함하고,상기 냉각층을 배치하는 단계에서는, 상기 기판의 타면 상에 상기 냉각층을 배치하는 태양전지의 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
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