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주석-셀레나이드; 및상기 주석-셀레나이드 표면 중 적어도 일부에 결합된 질소 도핑된 탄소계 화합물;을 포함하는 나트륨이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 주석-셀레나이드는 SnSe 및 SnSe2을 포함하는 나트륨이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 음극 활물질은 나노 플레이크(Nanoflake) 형태인 나트륨이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 음극 활물질의 평균 두께는 10~30㎚인 나트륨이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 음극 활물질의 평균 기공 직경은 10~20㎚인 나트륨이차전지용 음극 활물질
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 나트륨이차전지용 음극 활물질, 바인더 및 도전재를 포함하는 슬러리가 집전체에 도포된 나트륨이차전지용 음극
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제6항에 있어서,상기 바인더는 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리비닐플루오라이드, 폴리비닐알코올, 카르복시메틸셀룰로오즈, 전분, 히드록시프로필셀룰로오즈, 폴리비닐피롤리돈, 테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌(EPDM)고무, 스티렌-부티렌고무, 및 불소고무로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 나트륨이차전지용 음극
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(a) 용매에 주석 전구체 및 셀레늄 전구체를 투입하여 혼합하는 단계;(b) 상기 (a)의 혼합물을 밀폐된 반응기에 투입하여 150~200℃, 10~15시간의 조건에서 반응시켜 주석-셀레나이드를 제조하는 단계; 및(c) 상기 주석-셀레나이드 및 탄소 전구체와 혼합 및 건식 분쇄한 후 질소 분위기 하에서 하소시키는 단계;를 포함하는 나트륨이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 주석-셀레나이드 표면의 적어도 일부에 질소 도핑된 탄소 코팅층이 형성되는 나트륨이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (c) 단계는 400~600℃, 1~3시간 조건에서 수행되는 나트륨이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 (c) 단계의 하소는 1분 당 5℃를 상승시키는 조건에서 수행되는 나트륨이차전지용 음극 활물질의 제조방법
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