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고효율 열전달을 위한 2차원 절연물질을 게이트 절연체로 집적한 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2022007438
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터를 제공한다. 트랜지스터는, 기판, 상기 기판 상에 순차적으로 배치되며 서로 다른 분극율을 갖는 제1 반도체층 및 제2 반도체층, 상기 제2 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 제2 반도체층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 사이에 배치되며, h-BN(hexagonal-boron nitride)을 포함하는 절연층, 및 상기 절연층의 일부 상에 배치되는 게이트 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/20 (2006.01.01)
CPC H01L 29/518(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/2003(2013.01)
출원번호/일자 1020200160087 (2020.11.25)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0072462 (2022.06.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.25)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 경기도 수원시 영통구
2 전다솜 경기도 시흥시 서울대학

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김홍석 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호(구로동, 코오롱싸이언스밸리*차)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1270660-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0227934-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2021.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-1006935-92
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2021-1528647-00
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2022.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2022-0207148-44
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0270164-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2022-0270160-59
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 순차적으로 배치되며 서로 다른 분극율을 갖는 제1 반도체층 및 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 제2 반도체층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 사이에 배치되며, h-BN(hexagonal-boron nitride)을 포함하는 절연층; 및상기 절연층의 일부 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 절연층은 상기 드레인 전극에 인접한 채널 내에서 형성된 열을 분산시키는 열 분산층으로 기능하는 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서,상기 절연층은 10 내지 30nm의 두께를 갖는 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 경희대학교산학협력단 이공학학술연구기반구축(R＆D) 웨어러블융합전자연구소
2 과학기술정보통신부 경희대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발(R＆D) 3D 멤리스터 어레이 결점 극복을 위한 뉴로모픽 시스템
3 과학기술정보통신부 경희대학교산학협력단 개인기초연구(미래부) 2차원 물질의 이방성 열전달 특성을 이용한 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 소자의 신뢰성 개선 연구