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반도체 양자점의 생성과 크기 제어 방법 및 시스템

  • 기술번호 : KST2022007501
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체 양자점의 생성 방법에 관한 것으로서, 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막 상부에 플라즈마를 형성하고 이로부터 상기 비정질 반도체 박막에 이온 에너지를 전달하여 결정질 나노입자를 생성하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하여 상기 결정질 나노입자를 성장시키는 단계; 상기 결정질 나노입자가 성장하여 양자점이 생성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02592(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) B82B 3/0076(2013.01) B82Y 40/00(2013.01) B82Y 20/00(2013.01)
출원번호/일자 1020200159851 (2020.11.25)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0072351 (2022.06.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효창 세종특별자치시
2 김정형 대전광역시 유성구
3 성대진 충청남도 공주시
4 최대한 경기도 화성시 노

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고종욱 대한민국 대전광역시 서구 둔산중로 ***, **층 ****호 (둔산동, 주은오피스텔)(고유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1269438-76
2 보정요구서
Request for Amendment
2020.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0177871-12
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1408288-96
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.02.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
반도체 양자점의 생성 방법에 있어서, 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막 상부에 플라즈마를 형성하고 이로부터 상기 비정질 반도체 박막에 이온 에너지를 전달하여 결정질 나노입자를 생성하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하여 상기 결정질 나노입자를 성장시키는 단계; 상기 결정질 나노입자가 성장하여 양자점이 생성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 이온 에너지는 상기 비정질 반도체 박막의 스퍼터링 문턱 에너지(Eth)를 기준으로 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 이온 에너지는 상기 비정질 반도체 박막의 스퍼터링 문턱 에너지(Eth)를 기준으로 0
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 양자점의 크기는 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계에서 상기 기판은 실리콘 웨이퍼로 형성되고 상기 실리콘 웨이퍼에 산화막, 질화막, 금속층 중 어느 하나가 형성된 후 그 상부에 비정질 실리콘 박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 방법
6 6
반도체 양자점의 크기 제어 방법에 있어서, 복수의 양자점이 생성된 기판의 상부에 적어도 하나의 양자점이 노출되도록 마스크를 형성하는 단계; 상기 기판 상부에 플라즈마를 형성하고 노출된 상기 양자점에 이온 에너지를 전달하여 크기를 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 크기 제어 방법
7 7
반도체 양자점의 생성 방법에 있어서, 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막의 일부가 노출하도록 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크 상부에 플라즈마를 형성하고 이로부터 노출된 상기 비정질 반도체 박막에 이온 에너지를 전달하여 결정질 나노입자를 생성하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하여 상기 결정질 나노입자를 성장시키는 단계; 상기 결정질 나노입자가 성장하여 양자점이 생성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 방법
8 8
반도체 양자점의 생성 방법에 있어서, 기판 상부에 비정질 반도체 박막을 증착하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막을 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 비정질 반도체 박막이 노출하도록 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크 상부에 플라즈마를 형성하고 이로부터 노출된 상기 비정질 반도체 박막에 이온 에너지를 전달하여 결정질 나노입자를 생성하는 단계; 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하여 상기 결정질 나노입자를 성장시키는 단계; 상기 결정질 나노입자가 성장하여 양자점이 생성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 방법
9 9
반도체 양자점의 생성 시스템에 있어서, 비정질 반도체 박막이 증착된 기판이 내부에 위치하도록 하는 챔버, 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 전원공급부를 포함하고, 상기 전원공급부는 상기 비정질 반도체 박막에 전달되는 이온 에너지를 제어하여 상기 비정질 반도체 박막에 결정질 나노입자가 생성되도록 하고, 상기 비정질 반도체 박막과 상기 결정질 나노입자에 이온 에너지를 더 전달하여 상기 결정질 나노입자가 성장되어 양자점이 생성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 시스템
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 전원공급부는 플라즈마 밀도를 제어하기 위한 플라즈마 발생부와 이온 에너지를 제어하기 위한 바이어스 전원 인가부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 시스템
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는 유도결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 발생부, 자화된 유도결합 플라즈마(Magnetized ICP) 발생부, 용량성 결합 플라즈마(CCP: Capacitive Coupled Plasma) 발생부, 자화된 용량성 결합 플라즈마(Magnetized CCP) 발생부, 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma) 발생부, 자화된 마이크로웨이브 플라즈마(Magnetized Microwave Plasma) 발생부 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 생성 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국표준과학연구원 국가연구개발사업 유체-입자 결합 다차원 다중스케일 플라즈마 장비/공정 시뮬레이터 개발
2 과학기술정보통신부 한국표준과학연구원 소재혁신선도 프로젝트 오염입자 및 고에너지 플라즈마 내구성 평가 표준화 기술 개발
3 과학기술정보통신부 한국표준과학연구원 기관고유사업 3-1-03. 반도체 측정장비 기술개발
4 과학기술정보통신부 한국표준과학연구원 2020년도 미래선도형 융합연구단사업 반도체 플라즈마 공정장비 지능화 기술개발 및 실증