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다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법

  • 기술번호 : KST2022007627
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 관점에 의하면, 아크 이온 플레이팅 방법으로 나노구조 코팅층을 형성하는 방법에 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 나노구조 코팅층을 형성하는 방법은, (a) 챔버 내부에 적어도 2종을 포함하는 금속의 소결 합금 타겟 및 모재를 장착하는 단계; (b) 상기 챔버 내부로 반응성 가스를 투입하는 단계; 및 (c) 상기 소결 합금 타겟의 표면에 아크를 발생시켜 반응성 증착법으로 상기 모재의 표면에 적어도 2종을 포함하는 금속의 화합물을 포함하는 나노구조 코팅층을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL C23C 14/32 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01)
CPC C23C 14/325(2013.01) C23C 14/0641(2013.01)
출원번호/일자 1020200162623 (2020.11.27)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0074296 (2022.06.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현국 광주광역시 북구
2 오익현 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-1283598-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.06.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0056221-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0267535-42
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-0503116-59
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.05.12 1-1-2022-0503117-05
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번호 청구항
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아크 이온 플레이팅 방법으로 나노구조 코팅층을 형성하는 방법으로서, (a) 챔버 내부에 적어도 2종을 포함하는 금속의 소결 합금 타겟 및 모재를 장착하는 단계;(b) 상기 챔버 내부로 반응성 가스를 투입하는 단계; 및(c) 상기 소결 합금 타겟의 표면에 아크를 발생시켜 반응성 증착법으로 상기 모재의 표면에 적어도 2종을 포함하는 금속 화합물을 포함하는 나노구조 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 소결 합금 타겟은 (a-1) 내부에 밀링 공간이 형성되고, 회전 가능하며 회전축과 수평한 방향으로 진동이 가능한 밀링 용기 및 상기 밀링 공간에 상기 밀링 용기 내에 회전가능하게 설치되어 원료 분말과 볼을 교반시키는 회전 임펠러를 구비하는 분말 밀링 장치 내부로 적어도 2 종의 금속분말이 혼합된 혼합분말을 투입하는 단계;(a-2) 상기 밀링 용기를 진동시키면서, 상기 밀링 용기 및 상기 회전 임펠러를 서로 반대 방향으로 회전시켜 상기 혼합분말의 분쇄 및 기계적 합금화를 수행하는 단계;(a-3) 상기 기계적 합금화된 혼합분말을 소결(sintering)하여 소결체를 제조하는 단계를 포함하는,합금분말을 소결(sintering)하여 소결체를 제조하는 단계를 포함하여 제조한 것인,다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 화합물은 금속의 질화물, 탄화물, 산화물 및 이들의 복합물 중 어느 하나 이상인, 다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노구조 코팅층은 TiAlSiN 및 TiAlSiWN 중 어느 하나인,다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 3 항에 있어서, 상기 TiAlSiWN 나노구조 코팅층은 전체적으로 주상정 조직을 가지되, 상기 주상정 조직 내의 일부 영역에 W 입자가 국부적으로 형성된 구조를 가지는, 다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 4 항에 있어서, 상기 W 입자의 상부 주상정과 하부 주상정은 불연속적이며, 상기 W 입자의 상부 주상정의 적어도 일부는 상기 W 입자에서부터 성장된 것인, 다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, (a-1) 단계에서 상기 밀링 공간 내부가 비활성 가스 혹은 액체 질소 분위기를 유지하는, 다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 (a-2) 단계는 상기 밀링 용기 및 상기 회전 임펠러를 서로 다른 회전 속도로 회전하는, 다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (a-3) 단계는 방전 플라즈마 소결(spark plasma sintering)에 의해 수행되는, 다성분계 단일 합금타겟을 이용한 나노구조 코팅층 형성방법
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국가 R&D 정보가 없습니다.