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상면에 분해 대상인 고체 단량체가 위치하는 유전체 기판;상기 유전체 기판 내부에 위치하고, 상기 고체 단량체를 용융 시켜 액체 단량체를 형성하는 히터; 및상기 유전체 기판 내부에 위치하고, 상기 액체 단량체를 플라즈마 분해하도록 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생전극; 을 포함하고, 상기 히터는 상기 유전체 기판 내부에서 상기 플라즈마 발생전극의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 고체 단량체는 폐 PET로부터 화학반응을 통하여 회수된 BHET인 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판은 LTCC 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서, 상기 유전체 기판의 두께는 1 mm 내지 10 mm인 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생전극은 상기 유전체 기판의 상면에서 0
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생전극은 서로 번갈아 교대로 위치하는 하나 이상의 전원전극 및 접지전극을 포함하고, 상기 전원전극과 접지전극의 간격은 0
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7
제 6 항에 있어서, 상기 하나 이상의 전원전극은 플라즈마 발생용 교류전원과 연결되는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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8
제 7 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생용 교류전원은, 주파수가 1 kHz 내지 100 kHz, 전압이 10 kV 이하의 싸인파, 삼각파, 사각파 또는 펄스파 중 어느 하나의 교류 플라즈마 전원을 공급하는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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제 6 항에 있어서, 상기 전원전극 및 접지전극은 각각 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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10
제 1 항에 있어서, 상기 히터는 히터용 직류전원과 연결된 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 히터는 Ag-Pt 또는 RuO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치
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상면에 분해 대상인 고체 단량체가 위치하는 유전체 기판; 상기 유전체 기판 내부에 위치하고, 상기 고체 단량체를 용융 시켜 액체 단량체를 형성하는 히터; 및 상기 유전체 기판 내부에 위치하고, 상기 액체 단량체를 플라즈마 분해하도록 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생전극;을 포함하고, 상기 히터는 상기 유전체 기판 내부에서 상기 플라즈마 발생전극의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 단량체 분해용 플라즈마 발생장치를 이용한 단량체 분해 방법에 있어서, 분해 대상인 고체 단량체를 준비하는 제 1 단계; 유전체 기판 상면에 상기 고체 단량체를 위치시키는 제 2 단계; 히터에 전원을 인가하여 상기 유전체 기판 상면에 위치하는 고체 단량체를 용융시켜 액체 단량체를 형성하는 제 3 단계; 및플라즈마 발생전극에 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 액체 단량체를 플라즈마 분해하는 제 4 단계;를 포함하는 단량체 분해 방법
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제 12 항에 있어서,상기 고체 단량체는 폐 PET로부터 화학반응을 통하여 회수된 BHET인 것을 특징으로 하는 단량체 분해 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 3 단계에서, 상기 히터는 200 ℃ 내지 600 ℃의 온도로 고체 단량체를 용융시켜 액체 단량체를 형성하는 것을 특징으로 하는 단량체 분해 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 4 단계에서, 상기 플라즈마 발생전극에 공급되는 전원은, 주파수가 1 kHz 내지 100 kHz, 전압이 10 kV 이하의 싸인파, 삼각파, 사각파 또는 펄스파 중 어느 하나의 교류 플라즈마 전원인 것을 특징으로 하는 단량체 분해 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서, 상기 플라즈마 발생전극으로부터 발생되는 플라즈마는 10,000 K 이상의 온도를 갖는 전자를 이용하여 액체 단량체를 분해하는 것을 특징으로 하는 단량체 분해 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 3 단계 및 제 4 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 단량체 분해방법
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