| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는, 지연 형광 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서 상기 D3는 하기 화학식 2로 표시되고,[화학식 2]상기 식에서,A1 내지 A6은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C60의 카보사이클릭 그룹, 치환 또는 비치환된 C2~C60의 헤테로사이클릭 그룹, C6~C60의 아릴 그룹 및 C5~C60의 헤테로아릴 그룹 중에서 선택되는 고리 구조이고,X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, N-R7, C(R8)2 또는 S이고 X1 및 X2 중 적어도 하나는 N-R7이 아니며,Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 O 또는 S에서 선택되고,L3은 단일결합 또는 C6~C60의 아릴렌이고,R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,R7 및 R8은 각각 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C6~C60 헤테로아릴기 중에서 선택된다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,하기 화학식 T-1~T-144 중 어느 하나로 표시되는, 지연 형광 화합물:
|
| 3 |
3
제1 전극;상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 1층 이상의 유기물층;을 포함하고,상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 따른 지연 형광 화합물을 1종 이상 포함하는, 유기 발광 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 유기물층 중 1층 이상은 하기 화학식 3으로 표시되는 형광 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자:[화학식 3]상기 식에서,R9 내지 R13은 각각 독립적으로 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C60 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3~C10 시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C10 헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C60 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C60 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고, X3 내지 X6은 각각 독립적으로 수소이거나 상호 결합하여 고리를 형성할 수 있다
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 화학식 3으로 표시되는 형광 화합물이 하기 화학식 F-1~F-35 중 어느 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이고,상기 유기물층은,제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 따른 지연 형광 화합물을 1종 이상 포함하는 발광층;상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공주입층, 정공수송층 및 전자저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공수송영역; 및상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 전자수송영역;을 포함하는, 유기 발광 소자
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이고,상기 유기물층은,제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 따른 1종 이상의 지연 형광 화합물과 상기 화학식 3으로 표시되는 형광 화합물을 포함하는 발광층;상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고, 정공주입층, 정공수송층 및 전자저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공수송영역; 및상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 전자수송영역;을 포함하는, 유기 발광 소자
|
