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기판에 금속 또는 금속 합금을 포함하는 전구체를 증착함에 있어서, 증착 사이클과 압력을 제어하면서 상기 전구체를 분해하여 금속 또는 금속 합금을 포함하는 나노 입자를 형성하는 제 1 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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기판에 금속 또는 금속 합금을 포함하는 전구체를 증착함에 있어서, 증착 사이클과 압력을 제어하면서 상기 전구체를 분해하여 금속 또는 금속 합금을 포함하는 나노 입자를 형성하는 제 1 단계;상기 나노 입자에 열처리를 수행하여 불순물을 제거함으로써 금속 나노 입자 또는 금속 합금 나노 입자를 형성하는 제 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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기판에 금속 또는 금속 합금을 포함하는 전구체를 증착함에 있어서, 증착 사이클과 압력을 제어하면서 상기 전구체를 분해하여 금속 또는 금속 합금을 포함하는 나노 입자를 형성하는 제 1 단계;를 포함하며,상기 증착 사이클을 제어하여 상기 나노 입자의 사이즈를 제어하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 증착 사이클을 증가시키면 상기 나노 입자의 사이즈가 증가하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 압력을 제어하여 상기 나노 입자의 밀도를 제어하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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6
제 5 항에 있어서,상기 압력을 증가시키면 상기 나노 입자의 밀도가 증가하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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7
제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 금속은 10족 또는 11족인 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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8
제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 금속 합금은 10족과 11족으로 이루어진 군으로부터 선택된 2개 이상을 합금한 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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9
제 7 항에 있어서,상기 10족은 니켈, 팔라듐, 백금 중 하나인 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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10
제 7 항에 있어서,상기 11족은 구리, 은, 금 중 하나인 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 니켈은 1-(디메틸아미노)-2-메틸-2-프로폭시드 니켈[Ni(dmamp)2]인 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 11 항에 있어서,상기 1-(디메틸아미노)-2-메틸-2-프로폭시드 니켈[Ni(dmamp)2]은,200℃ ~ 400℃의 온도에서 상기 증착 사이클이 30 사이클 이상시 사이즈가 증가하여 연속막을 형성하는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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13
제 1 항에 있어서,상기 기판은 평탄 SiO2(100 ㎚) 기판 또는 다공성 기판인 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 13 항에 있어서,상기 다공성 기판은,프라세오디뮴 바륨 망간 산화물(Praseodymium Barium Manganese Oxide)인 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는 200 ℃ ~ 400 ℃ 사이의 온도와, 1 내지 5 토르(Torr) 압력의 5 % 수소(H2), 질소 또는 아르곤 중 하나 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서,상기 열처리는 350 ℃ ~ 500 ℃의 온도와, 40 내지 200 토르(Torr)의 압력 하에서, 5 % 수소(H2) 또는 암모니아의 환원 분위기에서 30분 ~ 120분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는,기상 증착을 이용한 고밀도의 균일한 나노 입자 합성 방법
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