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제1 도전형의 불순물이 제1 도핑 농도로 도핑된 삼차원 물질층; 및제2 도전형의 불순물이 제2 도핑 농도로 도핑되고, 상기 삼차원 물질층과 접하도록 배치되어 상기 삼차원 물질층과 타입 II 밴드 정렬(band alignment)을 이루는 이차원 물질층;을 포함하는, 광 센서
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제1 항에 있어서, 상기 제1 도전형의 불순물은 p형 불순물이고, 상기 제2 도전형의 불순물은 n형 불순물인, 광 센서
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제1 항에 있어서, 상기 제1 도핑 농도는 상기 제2 도핑 농도보다 높은, 광 센서
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제1 항에 있어서, 상기 삼차원 물질층의 밴드갭은 상기 이차원 물질층의 밴드갭보다 작은, 광 센서
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제1 항에 있어서, 상기 삼차원 물질층은, IV족 반도체 물질, IV-IV족 화합물 반도체 물질 및 III-V족 화합물 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하고,상기 이차원 물질층은, 금속 칼코게나이드계 물질, 탄소 함유 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 광 센서
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제1 항에 있어서, 상기 삼차원 물질층과 상기 이차원 물질층은, 상기 타입 II 밴드 정렬의 형성으로 인해, 제로 바이어스 시 적외선 영역의 광에 반응하고 소정의 리버스 바이어스 인가 시 상기 적외선 영역의 광 및 가시광선 영역의 광 중 적어도 하나에 반응하는, 광 센서
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제1 항에 있어서, 상기 삼차원 물질층 상에 배치되고, 상기 삼차원 물질층의 상면을 일부 노출시켜 상기 삼차원 물질층의 상면 일부와 상기 이차원 물질층이 접하는 영역을 정의하는 절연층;상기 절연층의 상면의 일부 및 상기 이차원 물질층의 상면의 일부를 덮는 제1 콘택; 및상기 삼차원 물질층의 하면의 적어도 일부를 덮는 제2 콘택;을 더 포함하는, 광 센서
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제1 도전형의 불순물이 제1 도핑 농도로 도핑된 삼차원 물질층 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층의 일부를 식각하여 상기 삼차원 물질층의 상면을 일부 노출시키는 단계; 및노출된 상기 삼차원 물질층의 상면 일부를 덮도록 제2 도전형의 불순물이 제2 도핑 농도로 도핑된 이차원 물질층을 형성하는 단계; 를 포함하는, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 이차원 물질층을 형성하는 단계는,상기 노출된 상기 삼차원 물질층의 상면 일부 상에 예비 이차원 물질층을 형성하는 단계; 및상기 예비 이차원 물질층을 상기 제2 도핑 농도를 갖도록 상기 제2 도전형의 불순물로 도핑하여 상기 이차원 물질층을 형성하는 단계;를 포함하는, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 이차원 물질층을 형성하는 단계는,캐리어 기판 상에 상기 제2 도전형의 불순물이 제2 도핑 농도로 도핑된 상기 이차원 물질층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 상기 삼차원 물질층의 상면 일부를 덮도록 상기 성장 기판으로부터 상기 절연층으로 상기 이차원 물질층을 전사하는 단계;를 포함하는, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 제1 도전형의 불순물은 p형 불순물이고, 상기 제2 도전형의 불순물은 n형 불순물인, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 제1 도핑 농도는 상기 제2 도핑 농도보다 높은, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 삼차원 물질층의 밴드갭은 상기 이차원 물질층의 밴드갭보다 작은, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 삼차원 물질층은, IV족 반도체 물질, IV-IV족 화합물 반도체 물질 및 III-V족 화합물 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하고,상기 이차원 물질층은, 금속 칼코게나이드계 물질, 탄소 함유 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하는, 광 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 절연층의 상면의 일부 및 상기 이차원 물질층의 상면의 일부를 덮도록 제1 콘택을 형성하는 단계; 및 상기 삼차원 물질층의 하면의 적어도 일부를 덮도록 제2 콘택을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 광 센서의 제조 방법
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