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(a) 기판(100)에 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 전사되고, 상기 기판(100)과 하나 이상의 LED 픽셀(P)이 각각 접합되는 단계;(b) 상기 (a)단계에서 접합된 LED 픽셀(P) 중 어느 하나 이상의 불량 픽셀(P’)이 기설정된 방법으로 판단되는 단계; (c) 제어부(200)는 상기 (b)단계에서 판단된 상기 불량 픽셀(P’)에 레이저를 조사하도록 식각부(300)를 제어하고, 분광분석부(400)는 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하면 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질에 대해 기설정된 방식으로 분광 분석을 수행하고, 상기 분광분석부(400)는 상기 물질을 분석한 이미지를 상기 제어부(200)로 전송하는 단계;(d) 상기 제어부(200)는 상기 이미지 중에서 금속 물질(M2)이 검출되면, 상기 식각부(300)가 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하도록 제어하는 단계; 및(e) 흡착부(500)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되면, 상기 불량 픽셀(P’)을 상기 기판(100)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는,방법
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제1항에 있어서,상기 (d)단계는,(d1) 상기 제어부(200)는 상기 불량 픽셀(P’)에 대한 레이저 조사를 중단하면, 상기 식각부(300)가 상기 (b)단계에서 판단된 다른 불량 픽셀(P’)에 대해 레이저를 조사하도록 제어하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하고,상기 (e)단계 이후,(f) 상기 제어부(200)는 상기 (c)단계의 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기에 대한 정보를 전송받고, 상기 제어부(200)는 상기 분광분석부(400)에서 전송된 이미지, 상기 식각부(300)에서 조사되는 레이저의 세기 및 상기 식각부(300)의 위치를 학습하는 단계; 를 더 포함하는,방법
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제1항에 있어서,상기 (e)단계 이후,(g) 상기 (e)단계에서 분리된 불량 픽셀(P’)의 위치에 새로운 LED 픽셀(P)이 전사되는 단계; 및(h) 상기 제어부(200)는 상기 (g)단계에서 전사된 새로운 LED 픽셀(P)이 불량 픽셀(P’)인지 판단하는 단계; 를 포함하는,방법
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제2항에 있어서,상기 (d1)단계는,상기 제어부(200)는 상기 이미지가 GaAs(Gallium Arsenide) peak를 가시하면, 상기 금속 물질(M2)이 검출되는 것으로 판단하는 단계;를 더 포함하는,방법
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제1항에 있어서,상기 (d)단계는,상기 제어부(200)는 상기 기판(100)과 상기 불량 픽셀(P’)의 접합이 분리되도록 상기 식각부(300)에서 레이저를 조사하도록 제어하는 단계; 를 더 포함하는,방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계는,상기 분광분석부(400)가 상기 불량 픽셀(P’)에서 방출되는 물질을 실시간으로 분석하는 단계; 를 포함하는,방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계는,상기 제어부(200)가 상기 (a)단계에서 전사된 LED의 픽셀(P) 중 불량 픽셀(P’)을 PL(Photoluminescence)/EL(Electroluminescence) 방법으로 판단하는 단계;를 포함하는 ,방법
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제1항에 따른 방법이 적용되는 리페어 시스템
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