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저유전성 열경화형 수지 조성물 및 이로부터 제조된 저유전 재료

  • 기술번호 : KST2022007927
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종래 통신용 기판 소재 및 안테나용 소재 등의 경우, 대부분 유리 섬유가 포함된 열경화형 복합소재를 제공하고 있으나, 이러한 소재는 유전율이 4 이상으로 5G, 6G 통신 대역에서 요구되는 유전율을 만족하지 못하여, 전송 손실이 증대되는 문제점을 해결하기 위한 저유전성 열경화성 수지 조성물을 제공하는 것에 관한 것이다. 구체적으로, 지환족 헤테로 고리를 갖는 (메타)아크릴계 단량체, 다관능성 (메타)아크릴계 단량체, 개시제 및 경화 촉진제를 포함하는 저유전성 열경화성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 저유전 소재에 관한 것이다.
Int. CL C08F 220/18 (2006.01.01) C08F 220/34 (2006.01.01) C08F 220/38 (2006.01.01) C08F 222/20 (2006.01.01)
CPC C08F 220/18(2013.01) C08F 220/34(2013.01) C08F 220/38(2013.01) C08F 222/20(2013.01)
출원번호/일자 1020200166208 (2020.12.02)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0077358 (2022.06.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명재 서울특별시 광진구
2 이철승 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-1301853-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.02.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
지환족 헤테로 고리를 갖는 (메타)아크릴계 단량체, 다관능성 (메타)아크릴계 단량체, 개시제 및 경화 촉진제를 포함하는 저유전성 열경화형 수지 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 지환족 헤테로 고리를 갖는 (메타)아크릴계 단량체의 지환족 헤테로 고리는 탄소수 4 내지 6을 포함하고 질소, 산소 및 황으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 또는 둘의 헤테로 원소를 가지는 것인, 저유전성 열경화형 수지 조성물
3 3
제2항에 있어서상기 지환족 헤테로 고리는 2 미만의 쌍극자 모멘트를 가지는 것인 저유전성 열경화형 수지 조성물
4 4
제1항에 있어서,다관능성 (메타)아크릴계 단량체는 디프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트 및 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 저유전성 열경화형 수지 조성물
5 5
제1항에 있어서,상기 지환족 헤테로 고리를 갖는 (메타)아크릴계 단량체 및 다관능성 (메타)아크릴계 단량체는 1
6 6
제1항에 있어서,상기 개시제는 145 ℃의 0
7 7
제1항에 있어서,상기 경화 촉진제는 망간 아세테이트, 망간 나프탈레이트, 망간 카보네이트 및 망간 브로마이드에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인 저유전성 열경화형 수지 조성물
8 8
제1항에 있어서,25 ℃에서 점도가 100 mPa·s 내지 500 mPa·s인 저유전성 열경화형 수지 조성물
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 저유전성 열경화형 수지 조성물을 열경화하여 제조된 저유전 재료
10 10
제9항에 있어서,상기 열경화는 130 ℃ 내지 200 ℃ 에서 수행되는 것인 저유전 재료
11 11
제9항에 있어서,주파수 10 내지 20 GHz에서의 유전율(Dk, Dielectric Constant)이 3
12 12
제9항에 있어서,주파수 10 내지 20 GHz에서의 유전정접(Df, Dissipation factor) 이 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C)(1세부) 5G FCCL용 저유전체 필름 개발