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비정질 텅스텐산화물 분산형 졸겔(Sol-Gel) 코팅용액을 기재 상에 코팅하여 형성시킨 환원전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 1항에 있어서,상기 졸겔(Sol-Gel) 코팅용액은,비정질 텅스텐산화물 1~5중량부에 대하여 유기용매 5~20중량부로 이루어진 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 2항에 있어서,상기 비정질 텅스텐산화물은,메타텅스텐산암모늄[(NH4)6H2W12O40]인 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 2항에 있어서,상기 유기용매는,알코올류, 에테르류, 케톤류, 에스테르류 또는 방향족 탄화수소류 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 1항에 있어서,상기 환원전극층은,100nm 내지 500nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 1항에 있어서,상기 기재는 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설포네이트(PES) 또는 폴리카보네이트(PC) 중에서 선택된 1종으로 이루어진 필름인 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 1항에 있어서,상기 기재와 환원전극층의 사이에 투명전극층을 갖는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 7항에 있어서,상기 투명전극층은,ITO(insium tin oxide) 또는 FTO (fluorine tin oxide)로 이루어진 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기변색필름은,산화 전압 +0
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투명전극층이 코팅된 기재를 사용하여 전기변색필름을 제조하기 위한 전기변색필름 제조방법에 있어서,비정질 텅스텐산화물과 유기용매를 분산 혼합함으로써 비정질 텅스텐산화물 분산형 졸겔(Sol-Gel) 코팅용액을 제조하는 단계;상기 비정질 텅스텐산화물 분산형 졸겔(Sol-Gel) 코팅용액을 투명전극층 위에 코팅한 후 열처리를 통해 성장시키는 졸겔(Sol-Gel) 방식으로 환원전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 비정질 텅스텐산화물 분산형 졸겔(Sol-Gel) 코팅용액은,비정질 텅스텐산화물 1~5중량부에 대하여 유기용매 5~20중량부가 배합된 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 비정질 텅스텐산화물 분산형 졸겔(Sol-Gel) 코팅용액은,비정질 텅스텐산화물을 유기용매에 투입하여 2시간 내지 3시간 동안 초음파 처리하는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 비정질 텅스텐산화물은 메타텅스텐산암모늄[(NH4)6H2W12O40]이고,상기 유기용매는 알코올류, 에테르류, 케톤류, 에스테르류 또는 방향족 탄화수소류 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 선택 사용하는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 코팅은,스핀코팅, 딥코팅, 드롭캐스팅 중에서 선택된 어느 하나의 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 스핀코팅시에는,3000rpm 내지 4000rpm 조건에서 50초 내지 100초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 열처리는,200℃ 내지 450℃에서 1시간 내지 5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 환원전극층은,100nm 내지 500nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 환원전극층은,10nm 내지 20nm의 거칠기를 갖는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 투명전극층이 코팅된 기재는,아세톤과 이소프로판올 및 탈이온수에서 각각 10분 내지 20분 동안 세척한 후, 100℃ 내지 150℃에서 5분 내지 15분 동안 건조 처리하고, 10분 내지 20분 동안 자외선 및 오존 처리하는 것을 특징으로 하는 졸겔법을 이용한 비정질 텅스텐산화물 기반 전기변색필름 제조방법
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제 10항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기변색필름은,산화 전압 +0
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청구항 10 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 의한 제조방법으로 제조되는 전기변색필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기변색소자
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청구항 10 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 의한 제조방법으로 제조되는 전기변색필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 기능성 창호
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청구항 10 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 의한 제조방법으로 제조되는 전기변색필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치
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