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컬러필터 프리 광센서에 있어서,제1 광을 흡수하는 제1 페로브스카이트층;상기 제1 페로브스카이트층 상에 형성되며, 제2 광을 흡수하는 제2 페로브스카이트층; 및상기 제1 페로브스카이트층 및 상기 제2 페로브스카이트에 전압을 인가하는 전극부를 포함하며,상기 제1 광 및 상기 제2 광이 입력되는 상태에서, 상기 전극부를 통해 상기 제1 페로브스카이트층 및 상기 제2 페로브스카이트층 전체적으로 제1 전압을 인가시, 상기 제1 광으로 인해 상기 제1 페로브스카이트층으로부터만 실질적으로 제1 광전류가 생성되고, 상기 제1 전압과 다른 제2 전압시, 상기 제2 광으로 인해 상기 제2 페로브스카이트층으로부터만 실질적으로 제2 광전류가 생성되는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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청구항 1에 있어서,상기 전극부는,상기 제1 페로브스카이트층 아래에 위치하는 제1 전극;상기 제1 전극과 상기 제1 페로브스카이트층 사이에 위치하는 제1 형의 제1 반도체층;상기 제1 페로브스카이트층과 상기 제2 페로브스카이트층 사이에 개재된 제2 형의 반도체층;상기 제2 페로브스카이트층 상에 위치하는 제2 전극; 및상기 제2 페로브스카이트층과 상기 제2 전극 사이에 개재된 제1 형의 제2 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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3
청구항 2에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 간의 상기 제1 전압과 상기 제2 전압은 서로 역방향 전압인 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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청구항 3에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제1 광 및 상기 제2 광이 입력되는 투명전극이고,상기 제1 형의 제1 반도체층-제1 페로브스카이트층-제2 형의 반도체층-제1 형의 제2 반도체층-제2 페로브스카이트층은 p-i-p-n-i-p 결합구조를 형성하는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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5
청구항 4에 있어서,상기 제1 페로브스카이트층은 FAPbBr3(Formamidinium Lead bromide)및 FAPbBr2Cl(Formamidinium Lead Bromine chloride) 중 적어도 하나를 포함하며,상기 제2 페로브스카이트층은 MAPbI3(Methylammonium Lead iodide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터 프리 광센서
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청구항 5에 있어서,상기 제1 형의 제1 반도체층은 p형 반도체로서 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate)을 포함하고,상기 제2 형의 반도체층은 n형 반도체로서 PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester)를 포함하며,상기 제1 형의 제2 반도체층은 p형 반도체로서 Spiro-MeOTAD(2,2',7,7'-Tetrakis-(N,N-di-4-methoxyphenylamino)-9,9'-spirobifluorene)를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러필터 프리 광센서
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7
청구항 6에 있어서,상기 제1 전압은 상기 제1 전극에 음전위, 상기 제2 전극에 양전위가 인가되는 전압이고,상기 제2 전압은 상기 제1 전극에 양전위, 상기 제2 전극에 음전위가 인가되는 전압인 것을 특징으로 하는 컬러필터 프리 광센서
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8
청구항 7에 있어서,상기 제1 전압 인가시에 상기 제1 형의 제1 반도체층-제1 페로브스카이트층-제2 형의 반도체층에는 역방향 전압 상태이고, 상기 제2 형의 반도체층-제2 페로브스카이트층-제1 형의 제2 반도체층에는 순방향 전압 상태이며,상기 제2 전압 인가시에 상기 제1 형의 제1 반도체층-제1 페로브스카이트층-제2 형의 반도체층에는 순방향 전압 상태이고, 상기 제2 형의 반도체층-제2 페로브스카이트층-제1 형의 제2 반도체층에는 역방향 전압 상태인 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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9
청구항 8에 있어서,상기 제1 전압인가시, 상기 제1 광으로서 청색광 및 녹색광 중 적어도 하나가 상기 제1 광전류로 검출되고,상기 제2 전압인가시, 상기 제2 광으로서 적색광이 상기 제2 광전류로 검출되는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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10
청구항 9에 있어서,상기 제2 전압인가시 상기 제1 페로브스카이트층은 청색광 및 녹색광을 차단하는 필터로 기능하는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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11
청구항 9에 있어서,상기 제1 광전류의 광세기-광전류 곡선의 기울기로부터 청색광 및 녹색광이 구별되는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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12
청구항 9에 있어서,상기 제1 전압으로서 0
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13
청구항 8에 있어서,1012Jones 이상의 검출률(detectivity)로 상기 제1 광 및 제2 광을 검출하는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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청구항 1에 있어서,상기 제1 페로브스카이트층 및 상기 제2 페로브스카이트층은 유기 리간드를 가지지 않는 것을 특징으로 하는, 컬러필터 프리 광센서
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컬러필터 프리 광센서로서,단파장의 광을 흡수하기 위한 제1 페로브스카이트층;상기 제1 페로브스카이트층 상에 형성된 중간 전극; 및상기 중간 전극 상에 형성되고, 장파장의 광을 흡수하기 위한 제2 페로브스카이트층을 포함하고,상기 제1 페로브스카이트층 및 상기 제2 페로브스카이트층은 유기 리간드를 가지지 않는 것을 특징으로 하는 광 센서
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16
광식별 소자에 있어서,청구항 1 내지 14의 구성을 가지는 제1 컬러필터 프리 광센서;청구항 1 내지 14의 구성을 가지는 제2 컬러필터 프리 광센서; 및상기 제1 컬러필터 프리 광센서에는 상기 제1 전압을 인가하고, 상기 제2 컬러필터 프리 광센서에는 상기 제2 전압을 인가하도록 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광식별 소자
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청구항 16에 있어서,상기 제1 컬러필터 프리 광센서 및 상기 제2 컬러필터 프리 광센서의 상기 제2 페로브스카이트층은 MAPbI3이고,상기 제1 컬러필터 프리 광센서의 상기 제1 페로브스카이트층은 FAPbBr3이고,상기 제2 컬러필터 프리 광센서의 상기 제1 페로브스카이트층은 FAPbBr2Cl인 것을 특징으로 하는 광식별 소자
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18
청구항 17에 있어서,상기 제어부는 상기 MAPbI3에 의한 광전류로부터 적색광을 검출하고,FAPbBr3에 의한 광전류로부터 녹색광을 검출하며,FAPbBr2Cl에 의한 광전류로부터 청색광을 검출하는 것을 특징으로 하는 광식별 소자
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