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챔버 내에, 타겟 물질 및 기판을 준비하는 단계; 및상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판 상에, 강유전성 및 자성을 갖는 복합 박막 구조체를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 타겟 물질은, 베이스 산화물에 제1 도핑 원소가 도핑된 페로브스카이트 구조를 갖고, 상기 타겟 물질 내의 상기 제1 도핑 원소의 비율에 따라서, 상기 복합 박막 구조체의 강유전성 및 자성이 제어되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 복합 박막 구조체는, 강유전성을 갖는 베이스 박막; 및상기 베이스 박막 내에 제공되고, 바닥부 및 상기 바닥부에서 위로 연장하는 측벽부를 갖는, 복수의 자성 세그먼트를 포함하는 복합 박막 구조체의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 자성 세그먼트는 상기 제1 도핑 원소의 산화물로 형성되고, 상기 복합 박막 구조체가 증착되는 과정에서, 상기 베이스 박막에서 상기 제1 도핑 원소가 용리되어, 상기 자성 세그먼트가 형성되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 타겟 물질은, 상기 베이스 산화물에 제2 도핑 원소가 더 도핑된 것을 포함하고, 상기 타겟 물질 내의 상기 제1 도핑 원소 및 상기 제2 도핑 원소의 비율에 따라서, 상기 복합 박막 구조체이 강유전성 및 자성이 제어되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 자성 세그먼트는 상기 제1 도핑 원소 및 상기 제2 도핑 원소의 산화물로 형성되고, 상기 복합 박막 구조체가 증착되는 과정에서, 상기 베이스 박막에서 상기 제1 도핑 원소가 용리되어, 상기 자성 세그먼트가 형성되고, 상기 제1 도핑 원소 및 상기 제2 도핑 원소의 표면 용리 에너지(surface exsolution energy) 및 서브 표면 용리 에너지(subsurface exsolution energy)는 서로 다른 것을 포함하고, 상기 제1 도핑 원소 및 상기 제2 도핑 원소의 비율에 따라서, 상기 자성 세그먼트의 상기 바닥부 및 상기 측벽부의 발달 레벨이 제어되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판은 페로브스카이트 구조를 갖고, 상기 복합 박막 구조체는 상기 기판 상에 에피택시얼하게 성장되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체의 제조 방법
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기판; 및상기 기판 상의 복합 박막 구조체를 포함하되, 상기 복합 박막 구조체는, 강유전성을 갖는 페로브스카이트 구조의 베이스 박막; 및상기 베이스 박막 내에 제공되고, 서로 이격된 복수의 자성 세그먼트를 포함하는 복합 박막 구조체
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제7 항에 있어서, 상기 자성 세그먼트는, 상기 기판에 인접한 바닥부; 및상기 바닥부에서 위로 연장하는 측벽부를 포함하고, 상기 측벽부로 둘러싸인 내부 공간의 폭은, 상기 기판에서 멀어질수록 넓어지고, 상기 측벽부로 둘러싸인 상기 내부 공간 내에, 상기 베이스 박막의 일부분이 제공되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체
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제7 항에 있어서, 상기 자성 세그먼트는, 제1 도핑 원소의 산화물을 포함하거나, 또는 상기 제1 도핑 원소 및 제2 도핑 원소의 산화물을 포함하고, 상기 제1 도핑 원소의 비율, 또는 상기 제1 도핑 원소 및 상기 제2 도핑 원소의 비율에 따라서, 상기 자성 세그먼트의 상기 바닥부 및 상기 측벽부의 길이가 제어되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체
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제9 항에 있어서, 상기 제1 도핑 원소 및 상기 제2 도핑 원소는 서브 표면 용리 에너지가 표면 용리 에너지보다 높고, 상기 제1 도핑 원소의 서브 표면 용리 에너지에서 표면 용리 에너지를 차분한 값은, 제2 도핑 원소의 서브 표면 용리 에너지에서 표면 용리 에너지를 차분한 값보다 적은 것을 포함하는 복합 박막 구조체
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제10 항에 있어서, 상기 제1 도핑 원소의 비율이 높아질수록 상기 자성 세그먼트의 상기 바닥부의 길이가 증가되고, 상기 제2 도핑 원소의 비율이 높아질수록 상기 자성 세그먼트의 상기 측벽부의 길이가 증가되는 것을 포함하는 복합 박막 구조체
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제9 항에 있어서, 상기 제1 도핑 원소는, Co, Mg, Zn, Fe, Mn, Cu, Ni, Ti, 또는 Be 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 도핑 원소는, Fe, Al, Cr, V, 또는 Si 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 복합 박막 구조체
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제7 항에 따른 복합 박막 구조체를 유전막으로 포함하는, 멤커패시터
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