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기판의 상부 일부에 위치하는 Au 재질의 제1전극 및 제2전극;상기 제1전극과 제2전극의 사이 기판 상에 위치하는 수계 유래 IGZO층;상기 IGZO층의 상부에서 프로브 DNA를 제공하여, 타겟 DNA를 혼성화 반응에 의해 검출하는 타겟 커플링층; 및상기 타겟 커플링층의 상부를 선택적으로 노출시키는 패시베이션층을 포함하는 반도체 기반 DNA 센서
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제1항에 있어서,상기 IGZO층은,인듐-갈륨-아연 산화물용액을 스핀 코터를 이용하여 도포하고, 경화하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 기반 DNA 센서
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제2항에 있어서,상기 인듐-갈륨-아연 산화물 용액은, 질산 인듐 수화물(In(NO3)3ㆍx(H2O)), 질산 갈륨 수화물(Ga(NO3)3ㆍx(H2O)), 아연 아세테이트 탈수화물(Zn (CH3COO)2ㆍ2(H2O))의 혼합용액이며,인듐, 갈륨 및 아연 전구체에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 타겟 커플링층은,APTES(3-Aminopropyltriehoxysilane)와, APTES에 말단의 인산염이 공유 결합된 프로브 DNA를 포함하는 반도체 기반 DNA 센서
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a) 기판의 상부에 상호 소정 거리 이격된 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계;b) 상기 a) 단계의 결과물 상부에 수계 유래 IGZO층을 형성하고, 패터닝하여 상기 제1전극과 제2전극 사이의 기판 상부에만 IGZO층을 형성하는 단계;c) 상기 b) 단계의 결과물의 상부전면에 패시베이션층을 형성하고, 패터닝하여 상기 IGZO층의 상부를 선택적으로 노출시키는 단계; 및d) 상기 IGZO층의 상부에 타겟 DNA를 검출할 수 있는 타켓 커플링층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 기반 DNA 센서 제조방법
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제5항에 있어서,상기 b) 단계는,인듐-갈륨-아연 산화물용액을 스핀 코터를 이용하여 도포하는 과정과,도포된 인듐-갈륨-아연 산화물용액을 열처리하여 경화하는 과정을 포함하는 반도체 기반 DNA 센서 제조방법
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제6항에 있어서,상기 인듐-갈륨-아연 산화물 용액은, 질산 인듐 수화물(In(NO3)3ㆍx(H2O)), 질산 갈륨 수화물(Ga(NO3)3ㆍx(H2O)), 아연 아세테이트 탈수화물(Zn (CH3COO)2ㆍ2(H2O))의 혼합용액이며,인듐, 갈륨 및 아연 전구체에 대하여 0
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제5항에 있어서,상기 d) 단계는,상기 IGZO층의 상부를 친수성 처리하는 과정과,상기 IGZO층의 상부에 아미노실란을 도포하는 과정과,프로브 DNA의 인산염과 상기 아미노실란을 실란화 반응시켜, 상호 공유 결합을 형성하는 과정을 포함하는 반도체 기반 DNA 센서 제조방법
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제8항에 있어서,상기 IGZO층의 상부를 친수성 처리하는 과정은,자외선 파생 오존으로 IGZO층을 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 기반 DNA 센서 제조방법
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