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PN 접합 실리콘 웨이퍼의 표면에 일정 간격으로 V홈을 형성시키고, 상기 V홈의 표면에 SiO2 산화막을 형성시켜 실리카 피라미드 구조를 제작하며, 상기 PN 접합 실리콘 웨이퍼의 저면에 V홈을 형성시켜 상기 실리카 피라미드 구조의 저면이 노출되도록 한 실리카 피라미드 구조를 갖는 PN 접합 태양전지
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제1항에 있어서,상기 실리카 피라미드의 높이는 4um 내지 5um이고, 상기 PN 접합 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성된 V홈의 측단부와 상기 실리카 피라미드 사이의 수평 거리는 1um 내지 2um이며, 상기 PN 접합 실리콘 웨이퍼의 표면 또는 저면에 형성된 V홈의 폭은 10um 내지 14um이고, 상기 PN 접합 실리콘 웨이퍼 표면 또는 저면에 형성된 V홈과 이웃하는 V홈의 측단부 사이의 간격은 4um 내지 10um인 것을 특징으로 하는 PN 접합 태양전지
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실리콘 웨이퍼를 고온 산소 분위기에서 열산화 하여 표면에 SiO2 산화막을 형성시키는 단계;SiO2 산화막이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼에 포토레지스터를 코팅한 후 마스크를 이용하여 자외선 노광하고 현상하여 다각형 형태의 포토레지스터 패턴을 형성시키는 단계;에칭을 통해 상기 포토레지스터 패턴이 형성된 부분의 SiO2 산화막을 제거하는 단계;상기 포토레지스터를 제거하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼를 염기성 용액에서 에칭을 실시하여 상기 SiO2 산화막이 제거된 부분에 V홈을 형성시켜 피라미드 구조를 형성시키는 단계;V홈이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼를 다시 열산화하여 V홈 표면에 SiO2 산화막을 형성시키는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 저면의 일정 부분 SiO2 산화막을 제거하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼 저면에 에칭을 실시하여 상기 피라미드 구조를 노출시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 피라미드 구조를 갖는 PN 접합 태양전지의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼는 P형 웨이퍼에 N형을 도핑하거나, 또는 N형 웨이퍼에 P형을 도핑하여 PN접합이 이루어진 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리카 피라미드 구조를 갖는 PN 접합 태양전지의 제조 방법
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