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베이스 기재 상부에 형성되며 전하의 저장이 가능한 플로팅 게이트;상기 플로팅 게이트 상부에 형성되며 상기 전하의 터널링이 가능한 제 1 절연막;상기 플로팅 게이트와 수직 방향으로 중첩되도록 상기 제 1 절연막 상부에 형성되는 채널층;상기 채널층의 일측 단부와 전기적으로 연결되도록 상기 제 1 절연막 상부에 형성되는 소스 전극;상기 채널층의 타측 단부와 연결되도록 상기 제 1 절연막 상부에 형성되는 하부 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 하부 드레인 전극 사이에서 상기 채널층 상부에 형성된 제 2 절연막; 및상기 하부 드레인 전극과 전기적으로 연결되며 상기 채널층과 수직 방향으로 중첩되도록 상기 제 2 절연막 상부에 형성되는 상부 드레인 전극을 포함하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 채널층은일정폭을 가지며 제 1 방향으로 연장되는 라인 타입으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 2에 있어서, 상기 플로팅 게이트는상기 채널층의 폭보다 넓은 폭을 가지며 상기 제 1 방향으로 상기 채널층보다 길게 연장되는 라인 타입으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 3에 있어서, 상기 채널층은상기 채널층의 중심이 상기 플로팅 게이트의 중심과 수직 방향으로 중첩되도록 위치하는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 2에 있어서, 상기 상부 드레인 전극은상기 채널층의 폭보다 넓은 폭을 가지며 상기 제 1 방향으로 연장되는 라인 타입으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 5에 있어서, 상기 상부 드레인 전극은상기 플로팅 게이트의 폭보다 넓은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 플로팅 게이트는상기 하부 드레인 전극으로부터 터널링되어 공급된 전하를 저장하며, 저장된 전하에 의해 생성된 전기장으로 상기 채널층에 전계 효과를 제공하는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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8
청구항 7에 있어서, 상기 상부 드레인 전극은마이너스 전압이 인가되는 경우, 상기 채널층에 음의 전계 효과를 제공하는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 8에 있어서, 상기 채널층은상기 플로팅 게이트로부터 제공되는 전계 효과와 상기 상부 드레인 전극으로부터 제공되는 전계 효과에 근거하여 온 상태 또는 오프 상태로 제어되는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 절연막은육방정계 질화붕소(h-BN), 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2) 및 질화규소(Silicon nitride)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 채널층은불순물이 주입된 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 11에 있어서, 상기 채널층은이황화 몰리브덴(MoS2), 텅스텐 디셀레나이드(WSe2), 이황화 텅스텐(WS2), 이셀렌화 몰리브덴(MoSe2), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 반도체성 탄소나노튜브(semiconducting CNT) 및 블랙 포스포러스(Black phosphorous, BP)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 하부 드레인 전극은일부 영역이 상기 플로팅 게이트와 수직 방향으로 중첩되게 형성되는 것을 특징으로 하는 수평형 터널링 랜덤 액세스 메모리
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