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폴리스티렌설폰산 금속염; 및 음이온성 고분자 전해질; 을 포함하는, 조성물
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제1항에 있어서,상기 폴리스티렌설폰산 금속염의 금속은, 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 납(Pb), 은(Ag), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 나트륨(Na), 칼륨(K), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 아연(Zn), 백금(Pt) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 조성물
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제1항에 있어서,상기 폴리스티렌설폰산 금속염 대 상기 음이온성 고분자 전해질의 질량비는 10 : 1 내지 1 : 10인 것인, 조성물
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제1항에 있어서,상기 음이온성 고분자 전해질은, PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate), 폴리아크릴산(PAA, polyacrylic acid), 폴리메틸아크릴산(PMA, polymethyl acrylic acid), 폴리비닐설폰산(polyvinylsulfonic acid), 폴리-알파-메틸설폰산(poly-Alpha-Methyl sulfonic acid), 폴리-에틸리덴설폰산(poly-ethylidene sulfonic acid), 폴리글루탐산(polyglutamic acid), 폴리아스파르틱산(poly aspartic acid), 트리폴리인산(Tri polyphosphoric acid), 폴리(4-비닐피리디니움 클로라이드)(poly(4-vinyl pyridinium chloride)), 폴리(2-비닐피리디니움 클로라이드)(poly(2-vinyl pyridinium chloride)), 폴리(4-비닐-2-하이드록시에틸피리디늄)클로라이드(poly(4-vinyl-2-hydroxyethyl pyridinium) chloride)) 및 폴리[2-비닐-3-(2-설포에틸 이미다졸리늄 베테인)] poly[1-vinyl-3-(2-sulfoethyl imidazolium betaine)])으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 조성물
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제1항에 있어서,상기 조성물은, 폴리페닐렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페릴렌(perylene), 폴리(3-알킬-티오펜), 폴리플러렌(fullerene), 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리피렌(polypyrene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리나프탈렌(polynaphthalene), 폴리아세틸렌(polyacetylene, PAC), 폴리-p-페닐렌비닐렌(poly(p-phenylene vinylene, PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPY), 폴리카바졸(polycarbazole), 폴리인돌(polyindole), 폴리아제핀(polyzepine), 폴리티에닐렌비닐렌(poly(thienylene vinylene), 폴리아닐린(polyaniline, PANI), 폴리티오펜(poly(thiophene)), 폴리(p-페닐렌설파이드(poly(p-phenylene sulfide, PPS), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(poly(3,4-ethylenedioxy thiophene, PEDOT), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-테트라메타크릴레이트(PEDOT-TMA), 폴리퓨란(polyfuran), PCBM((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-methylester), PBI(polybenzimidazole), PCBCR((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-cholesteryl ester) 및 PTCBI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic bis-benzimidazole)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 전도성 고분자를 더 포함하는 것인, 조성물
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제1항에 있어서,상기 조성물은, 반도체 물질에 p-형 도펀트를 제공하는 것인, 조성물
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제1항에 있어서,상기 조성물은, 수용성 용매를 더 포함하고,상기 수용성 용매는, 물을 포함하는 것인, 조성물
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제1항에 있어서,상기 조성물은, 반도체 소자의 정공수송층 제조에 사용되는 것인,조성물
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제1항에 있어서,상기 조성물은, 90 % 이상의 광투과도를 갖는 막을 제공하는 것인,조성물
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제1 전극층;제2 전극층; 상기 제1 전극층 및 제2 전극층 사이에 제1항의 조성물을 포함하는 정공수송층; 및 상기 정공수송층 상에 형성된 반도체층;을 포함하는, 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 정공수송층은, 1 nm 내지 50 nm 두께를 포함하는 것인, 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 정공수송층은, 90 % 이상의 광투과도를 갖는 것인, 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체층 중 적어도 일부분은 상기 정공수송층과 계면을 형성하고, 상기 계면 또는 상기 계면에 인접한 상기 반도체 영역 이 둘에 p-형 도핑 영역을 포함하는 것인, 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체층의 표면 거칠기는, 1
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제10항에 있어서,상기 반도체층은, 페로브스카이트를 포함하고, 상기 페로브스카이트는, ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An- 1BnX3n +1(n은 2 내지 6사이의 정수)의 구조를 포함하고,상기 A는 유기암모늄 또는 알칼리금속 물질이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소인 것인, 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 반도체 소자는, 광전자 소자이며,상기 반도체층은, 광활성층 또는 광발광층이며, 상기 광전자 소자는, 발광소자 또는 태양전지인 것인,반도체 소자
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제1항의 조성물을 용액 공정으로 코팅하여 정공수송층을 형성하는 단계; 및 상기 정공수송층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 를 포함하는,반도체 소자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 정공수송층을 형성하는 단계는, 상기 조성물을 코팅한 이후에 0 ℃ 내지 130 ℃ 온도에서 어닐링하는 단계;를 포함하는 것인, 반도체 소자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 정공수송층 상에 반도체층을 형성하는 단계는,상기 정공수송층 상에 반도체 물질의 증착막을 형성하는 단계;상기 증착막을 0 ℃ 내지 130 ℃ 온도에서 어닐링하는 단계;를 포함하는 것인,반도체 소자의 제조방법
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