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상부에 하부전극층이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 하부전극층이 형성된 기판 상에 황화주석(SnS)으로 구성된 p형 화합물 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 p형 화합물 광 흡수층 상에 화합물 반도체 보호층을 형성하는 단계;상기 화합물 반도체 보호층이 형성된 p형 화합물 광 흡수층을 습식 처리를 통하여 상기 황화주석(SnS)으로 구성된 p형 화합물 광 흡수층의 결함을 감소시키도록 제어하는 단계;상기 화합물 반도체 보호층 상에 n형 화합물 반도체 버퍼층을 형성하는 단계;상기 n형 화합물 반도체 버퍼층 상에 n형 반도체 투명전극층을 형성하는 단계;및상기 n형 반도체 투명전극층 상에 상부전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 p형 화합물 광 흡수층의 결함을 감소시키도록 제어하는 단계에서,상기 습식 처리는 황산카드뮴(CdSO4), 사이안화칼륨(KCN), 이소프로필알콜(IPA), 염산(HCl), 암모니아수(NH4OH), 및 증류수(H2O) 에서 선택된 1종을 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 화합물 반도체 보호층을 형성하는 단계에서, 상기 화합물 반도체 보호층은 황화아연(ZnS), 산화주석(SnO2), 산화알루미늄(Al2O3) 및 황화카드뮴(CdS) 에서 선택된 1종으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 p형 화합물 광 흡수층의 결함을 감소시키도록 제어하는 단계에서,상기 습식 처리는 50℃ 내지 70℃ 의 온도에서 중탕에 의해 습식 처리 되는 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 화합물 반도체 보호층을 형성하는 단계에서,상기 화합물 반도체 보호층의 두께는 1 nm 내지 20 nm 인 것을 특징으로 하는 표면결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 n형 화합물 반도체 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 n형 화합물 반도체 버퍼층은 30 nm 내지 50 nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 제조방법
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기판;상기 기판 상에 위치하는 하부전극층;상기 하부전극층 상에 위치하되, 황화주석(SnS)으로 구성된 p형 화합물 광흡수층;상기 p형 화합물 광 흡수층 상에 위치하는 화합물 반도체 보호층;상기 화합물 반도체 보호층 상에 위치하는 n형 화합물 반도체 버퍼층;상기 n형 화합물 반도체 버퍼층 상에 위치하는 n형 반도체 투명전극층; 및상기 n형 반도체 투명전극층 상에 위치하는 상부전극층;을 포함하고,상기 p형 화합물 광흡수층은 상부에 상기 화합물 반도체 보호층을 형성한 후에 습식 처리를 통하여 표면 결함이 감소된 것을 특징으로 하고,상기 습식 처리는 황산카드뮴(CdSO4), 사이안화칼륨(KCN), 이소프로필알콜(IPA), 염산(HCl), 암모니아수(NH4OH), 및 증류수(H2O) 에서 선택된 1종을 적용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 기판
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제 7 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 보호층은 황화아연(ZnS), 산화주석(SnO2), 산화알루미늄(Al2O3) 및 황화카드뮴(CdS) 에서 선택된 1종으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 기판
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제7항에 있어서,상기 n형 화합물 반도체 버퍼층은 ZnSnO, CdS, Zn(O,S), SnO2, In2S3, 및In2O3 에서 선택된 1종으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 기판
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제7항에 있어서,상기 n형 반도체 투명전극층은 ZnO, Al-ZnO, GaZnO, MgZnO 및 InSnO 에서 선택된 1종으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 기판
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제7항에 있어서,상기 상부전극층은 Mo, Pt, Ni, Au, Ag 및 Al 중에서 선택된 1종으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 결함이 제어된 SnS계 박막 태양전지 기판
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