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전도성 고분자를 이용한 저항성 랜덤 액세스 메모리 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022008363
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항성 랜덤 액세스 메모리 제조 방법에 관한 것으로서, 전도성 고분자 물질에 유기 용매를 첨가한 것을 이용하여 하부 전극을 형성하는 단계, 전도성 고분자 물질을 이용하여 상기 하부 전극 상에 산화물층을 형성하는 단계 및 전도성 고분자 물질에 유기 용매를 첨가한 것을 이용하여 상기 산화물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 저항성 랜덤 액세스 메모리를 제조하는데 있어서 공정비용과 공정에 걸리는 시간을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/102(2013.01) G11C 13/0016(2013.01) H01L 51/0037(2013.01)
출원번호/일자 1020200169477 (2020.12.07)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0080408 (2022.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강문희 대구광역시 달서구
2 소비아 알리 칸 충청북도 청주시 서원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1322083-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.02.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2021-5213510-18
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번호 청구항
1 1
전도성 고분자 물질에 유기 용매를 첨가한 것을 이용하여 하부 전극을 형성하는 단계;전도성 고분자 물질을 이용하여 상기 하부 전극 상에 산화물층을 형성하는 단계; 및전도성 고분자 물질에 유기 용매를 첨가한 것을 이용하여 상기 산화물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항성 랜덤 액세스 메모리 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 전도성 고분자 물질은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))인 것을 특징으로 하는 저항성 랜덤 액세스 메모리 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 유기 용매는 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 디메틸술폭시드(Dimethyl sulfoxide), 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저항성 랜덤 액세스 메모리 제조 방법
4 4
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되는 산화물층; 및상기 산화물층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하며, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 전도성 고분자 물질에 유기 용매를 첨가한 것을 이용하여 형성되고, 상기 산화물층은 전도성 고분자 물질을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저항성 랜덤 액세스 메모리
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청구항 4에 있어서, 상기 전도성 고분자 물질은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))인 것을 특징으로 하는 저항성 랜덤 액세스 메모리
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청구항 5에 있어서, 상기 유기 용매는 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 디메틸술폭시드(Dimethyl sulfoxide), 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저항성 랜덤 액세스 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 충북대학교 산학협력단 사회맞춤형 산학협력선도대학(LINC+)육성사업(산학협력고도화형) 광추출 구조체가 적용된 고효율 가시광 OLED 개발 및 이를 활용한 살균 및 항균 모듈 개발