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가스 공급관; 및상기 가스 공급관에 연결되되, 제1 방향으로 연장되는 가스 분배관; 을 포함하고,상기 가스 분배관은:상기 제1 방향으로 연장되는 가스 분배 통로; 및상기 가스 분배 통로에 연결되며 상기 제1 방향에 교차되는 제2 방향으로 연장되어 상기 가스 분배 통로를 상기 가스 분배관의 외부 공간과 연결시키는 분사구; 를 제공하고,상기 분사구는 복수 개가 제공되되, 상기 분사구들은 서로 상기 제1 방향으로 이격 배치되며,상기 분사구들은:직경이 일정한 직진 분사구; 및상기 가스 분배 통로로부터 상기 제2 방향으로 갈수록 직경이 작아지는 수렴 분사구; 를 포함하는 반도체 처리용 노즐
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제 1 항에 있어서,상기 수렴 분사구는 상기 직진 분사구보다 위에 위치한 반도체 처리용 노즐
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제 1 항에 있어서,상기 수렴 분사구에서 상기 가스 분배 통로와 연결된 부분의 직경은 1
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제 1 항에 있어서,상기 분사구들은 상기 가스 분배 통로로부터 상기 제2 방향으로 갈수록 직경이 커지는 발산 분사구를 더 포함하되,상기 발산 분사구는 상기 수렴 분사구와 상기 직진 분사구 사이에 위치한 반도체 처리용 노즐
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제 1 항에 있어서,상기 가스 분배관은 쿼츠(quartz)를 포함하는 반도체 처리용 노즐
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반도체 공정이 진행되는 캐비티를 제공하는 공정 하우징; 및반도체 처리용 노즐; 을 포함하되,상기 반도체 처리용 노즐은:가스 공급관; 및상기 공정 하우징 내에 배치되되, 상기 가스 공급관으로부터 위로 연장되는 가스 분배관; 을 포함하고,상기 가스 분배관은:상하로 연장되는 가스 분배 통로; 및상기 가스 분배 통로로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 가스 분배 통로를 상기 캐비티와 연결시키는 분사구; 를 제공하고,상기 분사구는 복수 개가 제공되되, 상기 분사구들은 서로 상기 상하로 이격 배치되며,상기 분사구들은 상기 가스 분배 통로로부터 멀어질수록 직경이 작아지는 수렴 분사구를 포함하는 반도체 처리 장치
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제 6 항에 있어서,상기 공정 하우징의 밑에 결합되되, 상기 가스 공급관이 관통하는 결합부재; 및상기 캐비티에 선택적으로 삽입되되, 상기 캐비티에 삽입되면 상기 반도체 처리용 노즐과 수평적으로 이격 배치되는 스테이지; 를 더 포함하는 반도체 처리 장치
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제 6 항에 있어서,상기 분사구들은 직경이 일정한 직진 분사구를 더 포함하되,상기 수렴 분사구는 상기 직진 분사구보다 위에 위치한 반도체 처리 장치
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제 8 항에 있어서,상기 분사구들은 상기 가스 분배 통로로부터 멀어질수록 직경이 커지는 발산 분사구를 더 포함하되,상기 발산 분사구는 상기 수렴 분사구와 상기 직진 분사구 사이에 위치한 반도체 처리 장치
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제 6 항에 있어서,상기 가스 공급관에 연결되어 상기 가스 공급관에 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하는 반도체 처리 장치
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