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기판;상기 기판 상에 형성되는 제1 및 제2 전극;상기 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 제1 및 제2 전극과 이격되어 형성되는 그래핀층;상기 그래핀층 상에서 서로 이격되어 형성되는 복수의 백금 구조물들; 및상기 그래핀층과 전기적으로 연결되는 제3 전극;을 포함하는, 수소 센서
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제1 항에 있어서,상기 그래핀층은, 탄소 원자들이 육각형의 격자가 아닌 구조로 배열되는 복수의 불규칙 영역들을 포함하는, 수소 센서
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3
제2 항에 있어서,상기 복수의 불규칙 영역들은, 상기 그래핀층의 탄소 원자의 육각형 격자의 격자 주기보다 큰 거리를 주기로 형성되는, 수소 센서
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4
제2 항에 있어서, 상기 복수의 백금 구조물들은, 상기 복수의 불규칙 영역들 상에 형성되는, 수소 센서
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제1 항에 있어서, 상기 복수의 백금 구조물들은, 상기 그래핀층의 상면과 접하는, 수소 센서
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제1 항에 있어서,상기 복수의 백금 구조물들은, 1nm 내지 10nm의 두께를 갖는, 수소 센서
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제1 항에 있어서,상기 제3 전극은, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되지 않는, 수소 센서
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기판;상기 기판 상에 형성되는 제1 및 제2 전극;상기 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 제1 및 제2 전극과 이격되어 형성되고, 탄소 원자들이 육각형 격자가 아닌 구조로 배열되는 복수의 불규칙 영역들을 포함하는 그래핀층;상기 그래핀층의 복수의 불규칙 영역들 상에서 서로 이격되어 각각 형성되는 복수의 금속 구조물들; 및상기 그래핀층과 연결되는 제3 전극;을 포함하는, 수소 센서
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제8 항에 있어서,상기 복수의 금속 구조물들은, 백금을 포함하는, 수소 센서
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10
제8 항에 있어서,상기 복수의 불규칙 영역들은, 상기 그래핀층의 탄소 원자의 육각형 격자의 격자 주기보다 큰 거리를 주기로 형성되는, 수소 센서
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11
제8 항에 있어서,상기 복수의 금속 구조물들은, 1nm 내지 10nm의 두께를 갖는, 수소 센서
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12
제8 항에 있어서,상기 제3 전극은, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되지 않는, 수소 센서
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기판 상의 게이트 절연층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층이 상기 기판 상의 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 이격되는 게이트 영역에만 잔존하도록 상기 그래핀층을 식각하는 단계; 및상기 그래핀층 상에 백금 물질을 증착시켜 상기 그래핀층 상에 서로 이격된 복수의 백금 구조물들을 형성하는 단계;를 포함하는, 수소 센서의 제조 방법
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제13 항에 있어서, 상기 그래핀층을 식각하는 단계와 상기 복수의 백금 구조물들을 형성하는 단계 사이에,상기 그래핀층에 탄소 원자들이 육각형 격자가 아닌 구조로 배열되는 복수의 불규칙 영역들을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 수소 센서의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 복수의 불규칙 영역들을 형성하는 단계는,산소 가스를 포함하는 플라즈마를 이용하여 상기 그래핀층에 상기 복수의 불규칙 영역들을 형성하는, 수소 센서의 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 복수의 불규칙 영역들을 형성하는 단계는,상기 그래핀층을 식각하는 단계에서 이용된 산소 가스의 제1 농도보다 낮은 제2 농도의 산소 가스를 포함하는 플라즈마를 이용하는, 수소 센서의 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 복수의 백금 구조물들을 형성하는 단계는,상기 복수의 불규칙 영역들 상에 상기 복수의 백금 구조물들을 형성하는, 수소 센서의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 복수의 백금 구조물들을 형성하는 단계는,상기 복수의 백금 구조물들을 1nm 내지 10nm의 두께를 갖도록 형성하는, 수소 센서의 제조 방법
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