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메모리 장치에 있어서,자유층, 고정층 및 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 자기 터널 접합;상기 자기 터널 접합의 자유층의 일측면과 접하는 금속층; 및 상기 금속층의 하단에 구성된 스핀 싱크층(SSL)을 포함하고,상기 메모리 장치에서 소스 라인을 비트 라인과 수직 방향으로 배치하여 비트 셀의 면적을 축소시키는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 장치는, 상기 비트 라인의 수직 방향으로 소스 라인을 배치하고, 읽기 작업 또는 쓰기 작업을 위해 상기 비트 라인의 수직 방향으로 배치된 소스 라인을 그라운드로 설정하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 장치는,상기 자기 터널 접합의 제1 터미널에 연결된 읽기 액세스 트랜지스터와 상기 금속층의 제2 터미널에 연결된 쓰기 액세스 트랜지스터를 포함하는 복수의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제3항에 있어서,상기 읽기 액세스 트랜지스터는 게이트 측에서 읽기 워드 라인과 연결되고, 드레인 측에서 비트 라인과 연결되며, 소스 측에서 상기 자기 터널 접합의 고정층과 연결되고,상기 쓰기 액세스 트랜지스터는 게이트 측에서 쓰기 워드 라인과 연결되고, 드레인 측에서 비트 라인과 연결되며, 소스 측에서 상기 금속층과 연결되는것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제2항에 있어서,상기 메모리 장치는,상기 쓰기 작업의 경우, 논리값 0을 쓰기 위하여 비트 라인이 음전압으로 편향되는 조건, 쓰기 작업의 경우, 논리값 1을 쓰기 위하여 읽기 워드 라인이 음전압으로 편향되는 조건, 읽기 작업의 경우, 쓰기 워드 라인이 음전압으로 편향되는 조건을 포함하는 읽기 작업 및 쓰기 작업의 편향 조건을 설정하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제5항에 있어서,상기 메모리 장치는,상기 설정된 편향 조건에 따라 쓰기 전류가 소스 라인에서 비트 라인으로 또는 비트 라인에서 소스 라인으로 금속층을 통해 읽기 전류가 흐르고, 읽기 전류가 비트 라인에서 자기 터널 접합을 통해 소스 라인으로 쓰기 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 메모리 장치는,상기 자기 터널 접합의 자유층의 자화를 스위치 하기 위하여 상기 자유층과 접촉하여 상기 금속층에 전하 전류를 인가하는 것을 포함하고,전하 전류를 가로지르는 스핀 전류가 생성되어 상기 금속층에서 스핀-궤도 상호작용으로 이어지는 것을 특징으로 하는 메모리 장치
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