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다공성의 강화층; 및상기 강화층의 적어도 일면에 위치하고, 자기치유형 입자를 포함하는 이온교환층;을 포함하고,상기 자기치유형 입자는이오노머를 포함하는 코어(core); 및라디칼과 반응하는 쉘(Shell)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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제1항에 있어서,상기 이오노머는 과불소 술폰산계 이오노머(Perfluorinated sulfonic acid; PFSA), 탄화수소계 이오노머, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 고분자 전해질막
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제1항에 있어서,상기 쉘은 알콕시 아민계 모노머(Alkoxyamine-based monomer), 페놀계 모노머(Phenol-based monomer), 우레아(urea), 및 포름알데하이드(Formaldehyde)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상과 가교되어 형성된 중합체인 것인 고분자 전해질막
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제3항에 있어서,상기 알콕시 아민계 모노머는 하기 화학식 1로 표현되는 모노머인 것인 고분자 전해질막
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제3항에 있어서,상기 페놀계 모노머는 하기 화학식 2로 표현되는 모노머인 것인 고분자 전해질막
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제1항에 있어서,상기 이온교환층에 포함되어 있는 자기치유형 입자의 함량은, 전체 이온교환층 100중량% 기준, 1
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제1항에 있어서,상기 자기치유형 입자 내 코어(core)/쉘(Shell) 비율(ratio)은 0
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제1항에 있어서,상기 자기치유형 입자의 직경은 10μm 이하인 것인 고분자 전해질막
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다공성의 강화층을 준비하는 단계; 및상기 강화층의 적어도 일면에, 자기치유형 입자를 포함하는 슬러리를 도포하여 이온교환층을 제조하는 단계를 포함하고,상기 자기치유형 입자는이오노머를 포함하는 코어(core); 및라디칼과 반응하는 쉘(Shell)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막 제조방법
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제9항에 있어서,상기 자기치유형 입자의 제조방법은알콕시 아민계 모노머(Alkoxyamine-based monomer), 페놀계 모노머(Phenol-based monomer), 우레아(urea), 및 분산안정제를 용매에 넣고 용해시키는 단계;상기 용해된 결과물에 산성 용액을 투입하는 단계;상기 산성 용액이 투입된 결과물을 교반시키는 단계;상기 교반된 결과물에 이오노머를 투입시키는 단계; 및이오노머가 투입된 결과물에 포름알데하이드(Formaldehyde) 수용액을 투입하는 단계를 포함하는 고분자 전해질막 제조방법
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제10항에 있어서,상기 알콕시 아민계 모노머는 하기 화학식 1로 표현되는 모노머인 것인 고분자 전해질막 제조방법
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제10항에 있어서,상기 페놀계 모노머는 하기 화학식 2로 표현되는 모노머인 것인 고분자 전해질막 제조방법
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제10항에 있어서,상기 산성 용액을 투입하는 단계에서,상기 용해된 결과물을 pH3~4의 산도로 적정하는 것인 고분자 전해질막 제조방법
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제10항에 있어서,상기 교반시키는 단계에서,상기 산성 용액이 투입된 결과물을 1000~3000rpm의 교반속도로 교반시키는 것인 고분자 전해질막 제조방법
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제10항에 있어서,상기 자기치유형 입자의 제조방법에서 사용되는 우레아(urea)/포름알데하이드(Formaldehyde)의 비율(ratio)은 2
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제10항에 있어서,상기 분산안정제의 함량은, 상기 용해된 결과물 100중량% 기준, 4
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제10항에 있어서,상기 분산안정제는 폴리비닐알코올(Polyvinylalcohol; PVA)를 포함하는 것인 고분자 전해질막 제조방법
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