| 1 |
1
고분자 바인더 및 방열 필러를 포함하며,상기 방열 필러는 질화붕소 입자, 알루미나 입자 및 질화붕소 나노튜브를 포함하는, 고방열 고분자 조성물
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 질화붕소 입자는 육방정계 질화붕소입자인, 고방열 고분자 조성물
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 고분자 바인더는 폴리페닐렌옥사이드계 중합체 및 불포화 폴리올레핀계 중합체를 포함하는, 고방열 고분자 조성물
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 폴리페닐렌옥사이드계 중합체는 말단에 비닐기를 포함하는, 고방열 고분자 조성물
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서,상기 폴리페닐렌옥사이드계 중합체는 말단기가 스티렌기로 치환된 폴리페닐렌옥사이드계 중합체인, 고방열 고분자 조성물
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서,상기 고방열 고분자 조성물은 고분자 바인더 10 내지 50 중량% 및 방열 필러 50 내지 90 중량%를 포함하는, 고방열 고분자 조성물
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서,상기 방열 필러 총 중량 중 질화붕소 나노튜브가 0
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서,상기 고방열 고분자 조성물은 중합 개시제를 더 포함하는, 고방열 고분자 조성물
|
| 9 |
9
제 1항 내지 제 8항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 고방열 고분자 조성물을 경화하여 제조되는 고방열성 필름
|
| 10 |
10
기재층;상기 기재층 상에 위치하는 제7항에 따른 고방열성 필름; 및상기 고방열성 필름 상에 위치하는 금속박;을 포함하는 전자회로 기판
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서,상기 금속박은 동박인, 전자회로 기판
|
| 12 |
12
제 10항에 있어서,상기 기재층은 도전성 금속인, 전자회로 기판
|
| 13 |
13
제 1항 내지 제 8항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 고방열 고분자 조성물로부터 제조되는 고방열 성형품
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서,상기 성형품은 ASTM E1461에 따른 열전도도가 6
|
| 15 |
15
제 13항에 있어서,상기 성형품은 저유전성 전자회로기판인, 고방열 성형품
|
