| 1 |
1
다이아몬드 기판, 상기 다이아몬드 기판의 상부는 서로 이격된 리세스 영역들을 포함하는 요철 구조를 갖는 것; 및 상기 리세스 영역들을 채우는 절연 패턴들을 포함하되,상기 절연 패턴들은 실리콘 카바이드, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄질화물, 및 알루미늄산화물 중 적어도 하나를 포함하는 방열 기판
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 리세스 영역들의 각각은 상기 다이아몬드 기판의 상면으로부터 상기 다이아몬드 기판의 내부로 연장되고, 상기 절연 패턴들의 각각의 적어도 일부는 상기 리세스 영역들의 각각을 채우고 상기 다이아몬드 기판 내에 배치되는 방열 기판
|
| 3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 절연 패턴들의 상면들은 상기 다이아몬드 기판의 상기 상면보다 높거나 같은 높이에 위치하는 방열 기판
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서,상기 절연 패턴들의 각각의 상기 상면과 상기 다이아몬드 기판의 상기 상면 사이의 거리는 0㎛ 보다 크거나 같고 10㎛보다 작거나 같은 방열 기판
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 절연 패턴들의 각각은 일 방향으로 연장되는 라인 형태, 다각형, 또는 원형의 형상을 갖는 방열 기판
|
| 6 |
6
다이아몬드 기판을 제공하되, 상기 다이아몬드 기판의 상부는 서로 이격된 리세스 영역들을 포함하는 요철 구조를 갖는 것; 상기 다이아몬드 기판의 상면 상에 상기 리세스 영역들을 채우는 절연층을 형성하는 것; 및 상기 절연층을 평탄화하여 상기 리세스 영역들을 채우는 절연 패턴들을 형성하는 것을 포함하되,상기 절연 패턴들은 실리콘 카바이드, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄질화물, 및 알루미늄산화물 중 적어도 하나를 포함하는 방열 기판의 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서, 상기 다이아몬드 기판을 제공하는 것은: 반도체 기판을 제공하되, 상기 반도체 기판의 상부는 서로 이격된 예비 리세스 영역들을 포함하는 요철 구조를 갖는 것; 상기 반도체 기판의 상면 상에 상기 예비 리세스 영역들을 채우는 상기 다이아몬드 기판을 형성하는 것; 및 상기 반도체 기판을 상기 다이아몬드 기판으로부터 제거하는 것을 포함하되, 상기 다이아몬드 기판이 상기 예비 리세스 영역들을 채우도록 형성됨에 따라, 상기 반도체 기판의 상기 요철 구조가 상기 다이아몬드 기판으로 전사되는 방열 기판의 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서, 상기 반도체 기판을 제공하는 것은: 상기 반도체 기판의 상기 상면 상에 마스크 패턴들을 형성하는 것; 상기 마스크 패턴들을 식각 마스크로 이용하여 상기 반도체 기판의 상기 상부를 식각함으로써, 상기 반도체 기판 내에 상기 예비 리세스 영역들을 형성하는 것; 및상기 마스크 패턴들을 제거하는 것을 포함하는 방열 기판의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 6에 있어서, 상기 다이아몬드 기판을 제공하는 것은: 반도체 기판 상에 상기 다이아몬드 기판을 형성하는 것; 상기 반도체 기판을 상기 다이아몬드 기판으로부터 제거하는 것; 상기 다이아몬드 기판의 상기 상면 상에 마스크 패턴들을 형성하는 것; 및 상기 마스크 패턴들을 식각 마스크로 이용하여 상기 다이아몬드 기판의 상기 상부를 식각함으로써, 상기 다이아몬드 기판 내에 상기 리세스 영역들을 형성하는 것; 및상기 마스크 패턴들을 제거하는 것을 포함하는 방열 기판의 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 6에 있어서, 상기 절연 패턴들을 형성하는 것은:상기 다이아몬드 기판의 상기 상면이 노출될 때까지 상기 절연층을 평탄화하는 것을 포함하는 방열 기판의 제조방법
|
| 11 |
11
방열 기판; 상기 방열 기판 상에 배치되는 제1 금속 패드들; 및 상기 방열 기판 상에 집적되는 반도체 소자를 포함하되, 상기 반도체 소자는 상기 제1 금속 패드들에 접합되는 전극 패드들을 포함하고, 상기 방열 기판은:다이아몬드 기판; 및 상기 다이아몬드 기판의 상부에 배치되고 서로 이격되는 절연 패턴들을 포함하고,상기 제1 금속 패드들의 각각은 상기 절연 패턴들 중 대응하는 절연 패턴들의 상면들, 및 상기 다이아몬드 기판의 상면의 일부와 접촉하는 반도체 집적 장치
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 절연 패턴들은 실리콘 카바이드, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄질화물, 및 알루미늄산화물 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 집적 장치
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서, 상기 반도체 소자는 질화물 반도체 소자이고,상기 전극 패드들은 상기 질화물 반도체 소자의 게이트 전극 패드, 소스 전극 패드, 및 드레인 전극 패드를 포함하는 반도체 집적 장치
|
| 14 |
14
청구항 11에 있어서, 상기 반도체 소자는 질화물 반도체 소자, III-V 화합물 반도체 소자, 실리콘 기반 반도체 소자, 및 광소자 중 어느 하나인 반도체 집적 장치
|
| 15 |
15
청구항 11에 있어서,상기 절연 패턴들의 상면들은 상기 다이아몬드 기판의 상면보다 높거나 같은 높이에 위치하는 반도체 집적 장치
|
| 16 |
16
청구항 11에 있어서,상기 절연 패턴들의 각각은 일 방향으로 연장되는 라인 형태, 다각형, 또는 원형의 형상을 갖는 반도체 집적 장치
|
| 17 |
17
청구항 11에 있어서, 상기 방열 기판 상에 배치되는 제2 금속 패드들; 및 상기 제1 금속 패드들과 상기 제2 금속 패드들을 연결하는 금속선들을 더 포함하되,상기 제2 금속 패드들 및 상기 금속선들의 각각은 상기 절연 패턴들 중 대응하는 절연 패턴들의 상면들, 및 상기 다이아몬드 기판의 상기 상면의 일부와 접촉하는 반도체 집적 장치
|
| 18 |
18
청구항 17에 있어서,상기 제1 금속 패드들, 상기 제2 금속 패드들, 및 상기 금속선들은 Cr, Ti, Al, Au, Cu, W, Ni, Pt 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 집적 장치
|
