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하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 염으로 캡핑된 금속 산화물 나노입자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1은 수소, 아민 또는 아미노 C1-5알킬이다
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제 1항에 있어서,상기 R1은 수소 또는 -NH2인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자
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제 1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 염은, 하기 화학식 2로 표시되는 것인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자:[화학식 2]상기 화학식 2에서,R2은 서로 독립적으로 수소 또는 C1-5알킬이며,X는 음이온이며,a는 'X의 이온가 × a = 1'을 만족하는 수이다
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제 3항에 있어서,상기 X는 Cl-, NO3-, SO42- 또는 PO43-인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자
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제 1항에 있어서,상기 금속은 주석 및 인듐에서 선택되는 하나 이상인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자
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제 1항에 있어서,상기 나노입자는 포토레지스트 패턴 형성용인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자
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금속 산화물 나노입자 전구체 및 지방산을 첨가하여 지방산으로 캡핑된 금속 산화물 나노입자를 제조하는 제1단계;하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 염을 포함하는 용액을 제조하는 제2단계; 및하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 염을 포함하는 용액 및 지방산으로 캡핑된 금속 산화물 나노입자를 리간드 교환 반응을 시키는 제3단계;를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 이의 염으로 캡핑된 금속 산화물 나노입자의 제조방법: [화학식 1]상기 화학식 1에서,R1은 수소, 아민 또는 아미노 C1-5알킬이다
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제 7항에 있어서,상기 금속 산화물 나노입자 전구체는 인듐아세테이트, 인듐 아세틸아세토네이트, 인듐 나이트레이트, 인듐 클로라이드, 인듐 브로마이드, 인듐 아이오다이드, 염화주석(II) 및 염화주석(IV)에서 선택되는 하나 이상인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 지방산은 C10-30 지방산인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 지방산은 상기 금속 산화물 나노입자 전구체 1몰에 대하여 1몰 내지 6몰로 사용되는 것인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 제2단계에서 제조된 용액은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1몰에 대하여 1몰 내지 3몰의 산을 더 포함하는 것인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 리간드 교환 반응은 25 ℃ 내지 80 ℃에서 1시간 내지 12시간 동안 수행되는 것인, 캡핑된 금속 산화물 나노입자의 제조방법
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13
제 1항 내지 제 6항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 캡핑된 금속 산화물 나노입자를 포함하는 포토레지스트 조성물
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14
기판 상에 제 13항의 포토레지스트 조성물을 도포하고 건조시켜 포토레지스트 조성물층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 조성물층을 활성 광선에 노광하는 단계; 및노광된 상기 포토레지스트 조성물층을 현상하는 단계;를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성 방법
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15
제 14항에 있어서,상기 활성 광선은 전자빔 또는 극자외선(EUV)인, 포토레지스트 패턴 형성 방법
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