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금속산화물을 포함하고, 하기 화학식 1을 만족하는 무기화합물 클러스터; 및용매;를 포함하는 포토레지스트용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 M은 주석(Sn)인 포토레지스트용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 무기화합물 클러스터는 상기 무기 음이온으로부터 유도된 전기이중층(electric double layer)에 의해 안정화되는 것인 포토레지스트용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 무기화합물 클러스터는 하기 화학식 2를 만족하는 것인 포토레지스트용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 포토레지스트용 조성물은 0
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제 4항에 있어서,상기 무기 음이온 A 및 A'는 각각 독립적으로 플루오르화 이온(F-), 염화 이온(Cl-), 브롬화 이온(Br-), 아이오딘화 이온(I-), 질산 이온(NO3-), 황산 이온(SO42-), 탄산 이온(CO32-), 수소 붕산 이온(HBO22-), 수소 인산 이온(HPO42-), 붕산 이온(BO33-) 및 인산 이온(PO43-) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 포토레지스트용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 용매는 증류수인 포토레지스트용 조성물
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제 7항에 있어서,상기 용매는 비양자성 극성용매를 더 포함하는 포토레지스트용 조성물
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제 8항에 있어서,상기 포토레지스트용 조성물은 조성물 전체 부피를 기준으로 30 내지 70 부피%의 상기 비양자성 극성용매를 포함하는 것인 포토레지스트용 조성물
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제 1항에 있어서,상기 포토레지스트용 조성물의 점도는 0
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제 1항에 있어서,상기 포토레지스트용 조성물의 pH는 0
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a) 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;b) 상기 포토레시스트 막을 노광하는 단계; 및c) 상기 노광된 포토레지스트 막을 베이크 한 후 현상하는 단계;를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법
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13
제 12항에 있어서,상기 b) 단계 이전 형성된 포토레시스트 막을 프리-베이크하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성방법
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제 12항에 있어서,상기 b) 단계는 전자빔(E-beam), 극자외선(EUV), 아이-선(I-line), 크립톤불소(KrF) 레이저, 아르곤불소(ArF) 레이저, 심자외선(DUV), 진공자외선(VUV), X-선 및 이온빔 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 광원으로 수행되는 포토레지스트 패턴의 형성방법
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제 12항에 있어서,상기 b) 단계의 노광은 전자빔(E-beam) 또는 극자외선(EUV)을 이용하여 수행되는 포토레지스트 패턴의 형성방법
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a) 환원제를 이용하여 금속염으로부터 금속산화물을 합성하는 단계; 및b) 제1무기산 용액을 통해 상기 금속산화물을 에칭하여 하기 화학식 1을 만족하는 무기화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 포토레지스트용 조성물의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 a) 단계의 금속염은 주석(Sn), 인듐(In), 안티몬(Sb) 및 하프늄(Hf) 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속에 제2무기산을 이용하여 합성되는 것인 포토레지스트용 조성물의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 제1무기산 및 제2무기산은 독립적으로 플루오르화 수소(HF), 염화수소(HCl), 브롬화수소(HBr), 아이오딘화 수소(HI), 황산(H2SO4), 탄산(H2CO3), 붕산(H3BO3) 및 인산(H3PO4) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 포토레지스트용 조성물의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 b) 단계 이후, 제3무기산 또는 금속할라이드를 첨가하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트용 조성물의 제조방법
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제 19항에 있어서,제3무기산은 플루오르화 수소(HF), 염화수소(HCl), 브롬화수소(HBr), 아이오딘화 수소(HI), 황산(H2SO4), 탄산(H2CO3), 붕산(H3BO3) 및 인산(H3PO4) 중에서 선택되는 어느 하나 이상이고, 금속할라이드는 SnF2, SnCl2, SnBr2 및 SnI2 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 포토레지스트용 조성물의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 b) 단계 이후, 제조된 무기화합물에 비양자성 극성용매를 첨가하는 단계를 더 포함하는 포토레지스트용 조성물의 제조방법
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