| 1 |
1
집속-이온빔을 사용하여 양자광원의 주변광원에 이온빔을 조사하는 단계;를 포함하고,상기 이온빔에 의해 상기 주변광원이 소광되는 것인,양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 집속-이온빔의 이온 소스는,헬륨(He), 금(Au), 실리콘(Si), 갈륨(Ga), 이리듐(Ir), 제논(Xe), 크로뮴(Cr), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 주석(Sn) 및 및 납(Pb)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 양자광원은,양자점(quantum dot), 양자우물(quantum well), 양자섬(quantum island), 양자 디스크(quantum disk) 및 양자선(quantum wire)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 양자구조를 포함하는, 양자구조체로부터 방출되는 것인, 양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 양자구조체는, 꼭짓점에 양자점이 위치한 피라미드 구조체를 포함하는 것인,양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 양자구조체는,원소 반도체, 분자 발광체, 유기물 발광체, 화합물 반도체, 페로브스카이트 물질, 2차원 전이금속 칼코겐 화합물, h-BN(Hexagonal Boron Nitride), h-BCN(hexagonal boron-carbon-nitrogen), 플루오로그래핀(fluorographene), 산화그래핀(graphene oxide) 및 탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것이고, 상기 원소 반도체는, IV족 원소 반도체; 또는 이들의 n형 또는 P형 반도체;를 포함하는 것이고, 상기 화합물 반도체는, II-VI족 화합물 반도체; III-V족 화합물 반도체; IV-VI족 화합물 반도체; IV족 화합물 반도체; 이들의 n형 또는 P형 반도체;를 포함하는 것인, 양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 양자구조체는,Stranski-Krastanow(S-K) 성장법으로 형성된 양자점을 포함하는 것인,양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 이온빔은, 도넛 모양으로 조사되는 것인,양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 이온빔의 조사량 및 조사 전류값을 조절하여, 상기 주변광원을 방출하는 영역의 결정 구조 결함을 유도하는 것인,양자광원의 단광자 순수도 향상 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 이온빔의 조사량은 1E5 ions/cm2 내지 1E20 ions/cm2 이고, 상기 이온빔의 조사 전류값은 0
|
| 10 |
10
양자광원을 방출하는 양자구조체를 포함하고,접속-이온빔을 사용하여 상기 양자광원의 주변광원에 이온빔을 조사하여, 상기 주변광원을 소광시킨 것인,광 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 양자광원의 단광자 순수도(single photon purity)는, 0
|
