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제1용매 하에서 디아민계 단량체와 산무수물 단량체를 용해 및 반응시켜 폴리아믹산 수지를 제조하는 단계;상기 폴리아믹산 수지에 중화제를 혼합하여 폴리아믹산 염을 제조하는 단계;상기 폴리아믹산 염에 물, 알코올 중 어느 하나 이상의 제2용매를 혼합하여 폴리아믹산 염 콜로이드 분산액을 제조하는 단계; 및3차원 다공성 금속기판에 상기 폴리아믹산 염 콜로이드 분산액을 전착 코팅하여, 표면에 이미드계 고분자 보호막이 형성된 전극 구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전착 코팅을 통해 보호막이 형성된 3차원 다공성 전극 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전극 구조체를 제조하는 단계 후에는,1차 아민이 용해된 용액에 상기 전극 구조체를 투입한 후 건조시켜 상기 이미드계 고분자 보호막의 이미드기를 디아미드기로 개질하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 전착 코팅을 통해 보호막이 형성된 3차원 다공성 전극 구조체의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 1차 아민은,아미노에톡시에탄올(aminoethoxyethanol), 피콜릴아민(picolylamine), 아미노프로판올(aminopropanol), 플루오로벤질아민(fluorobenzyl amine), 3,4-디플루오로벤질아민(3,4-Difluorobenzylamine), 술파닐릭산(sulfanilic acid), 3-아미노-4-메톡시벤즈아미드(3-Amino-4-methoxybenzamide), 술파디아잔(Sulfadiazine) 및 술파메타잔(Sulfamethazine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 전착 코팅을 통해 보호막이 형성된 3차원 다공성 전극 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이미드계 고분자 보호막은,상기 전착 코팅을 통하여 상기 폴리아믹산 염 콜로이드 분산액이 폴리아믹산으로 형성되었다가, 100 내지 250℃에서 열처리하여 상기 폴리아믹산이 이미드화되면서 형성되는 것을 특징으로 하는, 전착 코팅을 통해 보호막이 형성된 3차원 다공성 전극 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1용매는,상기 폴리아믹산 염 콜로이드 분산액을 제조하는 단계에서, 상기 제2용매와 상분리가 되지 않도록 N-메틸피롤리돈(N-Methylpyrrolidone, NMP), N,N-디메틸포름아마이드(N,N-Dimethylformamide, DMF), N,N-디메틸아세트아마이드(N,N-Dimethylacetamide, DMAc), N,N-디에틸포름아미드(N,N-diethyl formamide), N,N-디에틸 아세트아미드(N,N-diethyl acetamide), 톨루엔(toluene), 벤젠(benzene) 및 시클로헥산(cyclohexane)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 전착 코팅을 통해 보호막이 형성된 3차원 다공성 전극 구조체의 제조방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 3차원 다공성 전극 구조체
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제6항의 3차원 다공성 전극 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 리튬이차전지
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