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서로 대응되어 제공되는 제1 및 제2 전극;상기 제1 전극 상에 형성되는 전기변색층;상기 전기변색층과 대응되어 상기 제2 전극 상에 형성되는 이온저장층; 및상기 전기변색층과 상기 이온저장층 사이에 제공되는 전해질층;을 포함하고,상기 전기변색층은,비화학양론적인 금속 산화물이 연속상의 매트릭스를 이루는 전기변색물질막; 및상기 전기변색물질막 내에 분산된 복수의 금속 나노 입자를 포함하는 전기변색소자
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청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물은 텅스텐 산화물을 포함하는 전기변색소자
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청구항 2에 있어서,상기 금속 산화물은 WO3±x (0 003c# x ≤ 0
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청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물은 상기 금속 산화물의 금속에 대한 화학양론적 산소의 양보다 많은 양의 산소를 포함하는 전기변색소자
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5
청구항 1에 있어서,상기 복수의 금속 나노 입자의 전체 질량은 상기 금속 산화물의 전체 질량의 0
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 금속 나노 입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os) 중 어느 하나의 금속 또는 둘 이상의 합금으로 이루어진 전기변색소자
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7
청구항 1에 있어서,상기 복수의 금속 나노 입자는,제1의 평균 입경을 갖는 복수의 제1 나노입자; 및상기 제1의 평균 입경과 상이한 제2의 평균 입경을 갖는 복수의 제2 나노입자를 포함하는 전기변색소자
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8
청구항 1에 있어서,상기 복수의 금속 나노 입자는 적어도 하나의 기준 입경을 중심으로 ± 10 %의 입경을 갖는 전기변색소자
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9
청구항 1에 있어서,상기 전기변색층은 상기 제1 및 제2 전극에 인가되는 전압에 따라 반사율이 조절되며, 40 내지 90 %의 변색상태 반사율을 갖는 전기변색소자
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10
화상을 구현하는 빛을 방출하는 디스플레이 광원부; 및상기 디스플레이 광원부에서 방출된 빛이 투영되거나, 상기 디스플레이 광원부의 후방에서 외부로부터 유입되는 빛 중 적어도 일부를 차단하는 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항의 전기변색소자;를 포함하는 디스플레이 장치
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11
기판 상에 제1 전극을 형성하는 과정;상기 제1 전극 상에 비화학양론적인 금속 산화물이 연속상의 매트릭스를 이루는 전기변색물질막과 상기 전기변색물질막 내에 분산된 복수의 금속 나노 입자를 포함하는 전기변색층을 형성하는 과정; 및상기 전기변색층 상에 전해질층, 이온저장층 및 제2 전극을 형성하는 과정;을 포함하고,상기 전기변색층을 형성하는 과정은 산화분위기에서 스퍼터링으로 상기 전기변색층을 증착하여 수행되는 전기변색소자 제조방법
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12
청구항 11에 있어서,상기 전기변색층을 형성하는 과정은 화학양론적 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 분압 비율에서 산소(O2)의 분압을 더 높여 수행되는 전기변색소자 제조방법
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13
청구항 11에 있어서,상기 전기변색층을 형성하는 과정은 상기 금속 산화물 및 상기 금속 산화물의 금속 중 어느 하나와 상기 금속 나노 입자의 금속을 코스퍼터링(co-sputtering)하는 과정을 포함하는 전기변색소자 제조방법
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14
청구항 13에 있어서,상기 금속 산화물은 텅스텐 산화물을 포함하고,상기 코스퍼터링하는 과정은 텅스텐 산화물 타겟 또는 텅스텐 타겟에 상기 금속 나노 입자의 금속 타겟보다 2배 이상 높은 전원을 인가하여 수행되는 전기변색소자 제조방법
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15
청구항 11에 있어서,상기 전기변색층을 형성하는 과정은 상기 금속 산화물의 금속과 상기 금속 나노 입자의 금속의 합금 타겟을 스퍼터링하는 과정을 포함하는 전기변색소자 제조방법
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16
청구항 15에 있어서,상기 금속 산화물은 텅스텐 산화물을 포함하고,상기 합금 타겟을 스퍼터링하는 과정은 상기 금속 나노 입자의 금속의 2배 이상의 중량비로 텅스텐이 함유된 합금 타겟을 스퍼터링하여 수행되는 전기변색소자 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 전기변색층을 150 내지 500 ℃의 온도에서 열처리하는 과정;을 더 포함하는 전기변색소자 제조방법
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