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챔버;상기 챔버의 상부에 배치되며, 소스 가스를 상기 챔버 내부에 공급하는 샤워 헤드;상기 챔버의 하부에 배치되어, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 펌프;상기 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되며, 상기 샤워 헤드를 기준으로 상기 챔버 내부에서 일정 간격 좌우로 이동하는 거치대;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버는,외측면과 내측면 사이에 배치되는 히터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서,상기 샤워 헤드는,소스 가스를 공급하는 복수의 소스 공급 라인;상기 복수의 소스 공급 라인 각각으로부터 복수로 분기되어, 상기 챔버에 소스를 공급하는 복수의 가스 라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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제3항에 있어서,상기 복수의 가스 라인은 서로 연통되는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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제3항에 있어서,상기 복수의 가스 라인은 서로 중첩되어 배치되는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버 내부에 구비되어, 상기 챔버 내에 in-situ로 실시간 화학적인 조성을 분석하는 분석 장치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서,상기 분석 장치는 PM-TOF 및 PPMS를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서,상기 챔버는,상기 거치대를 이동시키기 위한 선로 또는 레일이 형성된 것을 특징으로 하는 원자층 증착 장치
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챔버;상기 챔버의 상부에 배치되며, 소스 가스를 상기 챔버 내부에 공급하는 샤워 헤드;상기 챔버의 하부에 배치되어, 상기 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 펌프;상기 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되는 거치대; 를 포함하고,상기 샤워 헤드는 상기 거치대를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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탈부착 가능하게 결합되어 서로 연통되는 복수의 단위 챔버;상기 복수의 단위 챔버의 상부에 각각 배치되어 소스 가스를 상기 단위 챔버 각각에 공급하는 복수의 단위 샤워 헤드;상기 복수의 단위 챔버의 하부에 각각 배치되어, 상기 복수의 단위 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 복수의 단위 펌프;상기 복수의 단위 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되며, 상기 복수의 단위 샤워 헤드를 기준으로 상기 복수의 단위 챔버 내부에서 일정 간격 좌우로 이동하는 거치대;것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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탈부착 가능하게 결합되어 서로 연통되는 복수의 단위 챔버;상기 복수의 단위 챔버의 상부에 각각 배치되어 소스 가스를 상기 단위 챔버 각각에 공급하는 복수의 단위 샤워 헤드;상기 복수의 단위 챔버의 하부에 각각 배치되어, 상기 복수의 단위 챔버 내부를 진공 상태로 형성하며 반응이 완료된 가스를 흡입하는 복수의 단위 펌프;상기 복수의 단위 챔버 내부에 배치되어 원자층 증착 대상물인 적어도 하나의 기판이 적재되는 거치대; 를 포함하고,상기 복수의 단위 샤워 헤드는 상기 거치대를 기준으로 일정 간격 좌우로 이동하는 것을 특징으로 하는 배치 타입 원자층 증착 장치
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