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(a) 질소 도핑된 이산화티타늄(N doped TiO2, N-TiO2)을 포함하는 지지체를 포함하는 지지체 용액을 제조하는 단계;(b) 금속 산화물 전구체를 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계;(c) 상기 지지체 용액 및 상기 전구체 용액을 혼합하고, 초음파 조사하여 혼합용액을 제조하는 단계; 및(d) 상기 혼합용액을 교반하고, 건조하여 선택적 환원 촉매를 제조하는 단계; 를 포함하고,상기 선택적 환원 촉매가 상기 질소 도핑된 이산화티타늄(N doped TiO2, N-TiO2)을 포함하는 지지체; 및상기 지지체 상에 담지되고, 금속 산화물을 포함하는 활성물질;을 포함하는 것인, 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 지지체가 다공성 이산화티타늄; 및 상기 다공성 이산화티타늄의 표면 상에 형성된 상기 질소 도핑된 이산화티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 질소 도핑된 이산화티타늄이 상기 다공성 이산화티타늄의 외부와 인접하는 표면 상에 형성된 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 질소 도핑된 이산화티타늄이 상기 다공성 이산화티타늄의 기공과 인접하는 표면 상에 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질소 도핑된 이산화티타늄은 질소(N)가 이산화티타늄(TiO2)의 산소(O)와 치환되거나 또는 이산화티타늄의 격자결함(lattice defect)에 침입하여 형성된 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물이 바나듐 산화물(V2O5) 및 텅스텐 산화물(WO3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 선택적 환원 촉매가상기 지지체 100 중량부에 대하여,상기 바나듐 산화물 0
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제1항에 있어서,상기 선택적 환원 촉매의 형태가 분말(powder), 벌집(honeycomb), 판(plate), 물결(corrugated shape) 및 과립(granule)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 선택적 환원 촉매는 기공을 갖는 다공성인 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 선택적 환원 촉매의 기공 크기는 5 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 선택적 환원 촉매의 입자 크기는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 선택적 환원 촉매가 질소산화물 제거에 사용하기 위한 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (a)가(a-1) 이산화티타늄(TiO2) 및 질소 전구체를 포함하는 용액을 제조하는 단계;(a-2) 상기 용액을 건조하고 열처리하여 질소 도핑된 이산화티타늄(N-TiO2)를 포함하는 지지체를 제조하는 단계; 및(a-3) 상기 지지체를 물과 혼합하여 상기 지지체 용액을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 질소 전구체는 우레아(CH4N2O), 질산암모늄(NH4NO3), 수산화암모늄(NH4OH) 및 암모니아(NH3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 바나듐 산화물 전구체 및 텅스텐 산화물 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 바나듐 산화물 전구체는 메타바나듐산암모늄(NH4VO3), 바나딜 설페이트(VOSO4), 바나딜 옥살레이트(VOC2O4·xH2O) 및 바나딜 아세틸아세토네이트[VO(acac)2]로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 텅스텐 산화물 전구체는 암모늄 메타텅스테이트 하이드레이트(Ammonium metatungstate, (NH4)6H2W12O40·xH2O), 암모늄 텅스테이트(Ammonium tungstate, (NH4)10H2(W2O7)6) 암모늄 파라텅스테이트 하이드레이트(Ammoniumparatungstate, (NH4)10(H2W12O42)·4H2O) 및 산화텅스텐 (Tungsten oxide, WO3)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)가(b-1) 상기 바나듐 산화물 전구체를 포함하는 제1 전구체 용액을 제조하는 단계; 및(b-2) 상기 텅스텐 산화물 전구체를 포함하는 제2 전구체 용액을 제조하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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제18항에 있어서,단계 (b-1)에서 상기 제1 전구체 용액이 옥살산, 말론산, 석신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 서버산, 아젤라산, 세박산, 프탈산, 이소프탈산 및 테레프탈산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 환원 촉매의 제조방법
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