맞춤기술찾기

이전대상기술

가스 센서, 이를 포함하는 가스 분석 장치 및 가스 센서의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022008904
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 감응층; 및 상기 가스 감응층 상에 배치된 촉매층; 을 포함하고, 상기 촉매층은 로듐(Rh)를 포함하는 가스 센서를 개시한다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01)
CPC G01N 27/4071(2013.01) G01N 27/4074(2013.01) G01N 27/4075(2013.01)
출원번호/일자 1020200181164 (2020.12.22)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0090199 (2022.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.22)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이종흔 서울특별시 송파구
2 문영국 서울특별시 동대문구
3 정성용 전라북도 익산시 성당면

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1398112-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.07.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
가스 감응층; 및상기 가스 감응층 상에 배치된 촉매층; 을 포함하고,상기 촉매층은 로듐(Rh)를 포함하는 가스 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 촉매층은 산화물을 더 포함하는 가스 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 촉매층에서, 상기 산화물은 TiO2, Al2O3, SiO2, MgO 및 CeO2 중 적어도 하나를 포함하는 가스 센서
4 4
가스 감응층, 및 상기 가스 감응층 상에 배치되며 로듐(Rh)를 포함하는 촉매층을 포함하는 가스 센서; 및설정된 복수의 환경 각각에 상기 가스 센서를 노출하여 측정된 측정값을 PCA 공간에 입력하여, 가스 별 PCA 분석 패턴을 생성하며, 임의의 환경에서 상기 가스 센서를 노출하여, 측정된 측정값을 상기 PCA 분석 패턴에 대입하여, 상기 임의의 환경에서의 가스 농도를 판단하는 처리부; 포함하는 가스 분석 장치
5 5
제 4항에 있어서,상기 처리부에서 판단된 임의의 환경에서의 가스 농도를 출력하는 출력부; 및상기 처리부에서 판단된 임의의 환경에서의 가스 농도를 외부로 전송하는 통신부를 더 포함하는 가스 분석 장치
6 6
(A) 가스 감응층을 형성하는 단계; 및(B) 가스 감응층 상에 촉매층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (B) 단계에서, 상기 촉매층은 로듐(Rh)를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (B) 단계에서, 상기 촉매층은 산화물을 더 포함하는 가스 센서의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (B) 단계에서, 상기 촉매층의 상기 산화물은 TiO2, Al2O3, SiO2, MgO 및 CeO2 중 적어도 하나를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.