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비납계 압전 재료 조성물, 이를 제조하는 방법, 비납계 압전 소자, 및 비납계 압전 소자를 포함하는 표시 장치

  • 기술번호 : KST2022008914
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서의 실시예에 따른 비납계 압전 소자는 제1 물질층 및 제1 물질층에 의해 둘러싸인 제2 물질층을 포함하는 비납계 압전 소자층, 및 압전 소자층의 제1 면에 배치된 제1 전극부, 및 제1면에 대향하는 제2 면에 배치된 제2 전극부를 포함하고, 압전 소자층은 0.96(Na0.5K0.5)(Nb1-x,Sbx)-0.04SrZrO3+1mol% CuO(상기 x는 0 003c# x 003c# 0.06임)의 조성을 만족한다.
Int. CL H01L 41/187 (2006.01.01) H01L 41/43 (2013.01.01)
CPC H01L 41/187(2013.01) H01L 41/1871(2013.01) H01L 41/1873(2013.01) H01L 41/43(2013.01)
출원번호/일자 1020200182220 (2020.12.23)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0091669 (2022.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남산 서울특별시 강남구
2 김대수 서울특별시 동대문구
3 고수환 서울특별시 동대문구
4 엄재민 서울특별시 동대문구
5 신호성 서울특별시 동대문구
6 이용우 경기도 파주시
7 김치완 경기도 파주시
8 함용수 경기도 파주시
9 고유선 경기도 파주시
10 성승현 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인천문 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-1404359-46
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2021-1494259-56
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번호 청구항
1 1
화학식 1로 표시되는 비납계 압전 재료 조성물
2 2
제1항에 있어서, 상기 x는 0
3 3
제1항에 있어서, 상기 비납계 압전 재료 조성물은, 제1 물질; 및 상기 제1 물질에 의해 둘러싸인 제2 물질을 포함하는, 비납계 압전 재료 조성물
4 4
제3항에 있어서, 상기 제2 물질은 NaNbO3 인, 비납계 압전 재료 조성물
5 5
제4항에 있어서, 상기 제2 물질은 상기 화학식 1의 상기 비납계 압전 재료 조성물에 대해서 3 내지 7 mol% 첨가된, 비납계 압전 재료 조성물
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 물질은 상기 화학식 1에서 첨가된 상기 제2 물질의 함량만큼 조절된, 비납계 압전 재료 조성물
7 7
제3항에 있어서, 상기 제1 물질은 (001) 단일 방향으로 결정 배향된 복수의 결정립을 포함하고, 상기 복수의 결정립의 내부에는 상기 제2 물질이 배치되고, 상기 복수의 결정립은 상기 제2 물질로부터 반응하여 성장된, 비납계 압전 재료 조성물
8 8
모체 재료 및 시드 재료를 칭량하는 단계;상기 모체 재료 및 상기 시드 재료를 혼합하여 슬러리를 준비하는 단계; 상기 슬러리를 성형하여 성형체를 준비하는 단계; 및상기 성형체를 소결하여 소결체를 준비하는 단계를 포함하고, 상기 칭량된 모체 재료 및 시드 재료는 화학식 1로 표시되는, 비납계 압전 재료 조성물의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 x는 0
10 10
제8항에 있어서, 상기 시드 재료는 NaNbO3 단결정인, 비납계 압전 재료 조성물의 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 시드 재료는 상기 화학식 1의 상기 압전 재료 조성물에 대해서 3 내지 7 mol% 첨가된, 비납계 압전 재료 조성물
12 12
제8항에 있어서, 상기 소결체를 준비하는 단계는, 제1 온도에서 수행되는 제1 소결 단계; 및 제2 온도에서 수행되는 제2 소결 단계를 포함하고, 상기 제1 온도는 1160℃이고, 상기 제2 온도는 1030 내지 1070℃이고, 상기 제1 소결 단계의 상기 제1 온도는 0시간 유지되고, 상기 제2 소결 단계의 제2 온도는 6시간 유지되는, 비납계 압전 재료 조성물의 제조 방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 모체 재료 및 시드 재료를 칭량하는 단계를 수행하기 전에, 상기 모체 재료는, 상기 모체 재료를 칭량하는 단계; 및상기 모체 재료를 혼합하는 단계에 의해 준비되는, 비납계 압전 재료 조성물의 제조 방법
14 14
제8항에 있어서, 상기 모체 재료 및 시드 재료를 칭량하는 수행하기 전에,상기 시드 재료는, 상기 시드 재료를 1차 칭량하는 단계;1차 시드를 준비하는 단계;상기 1차 시드를 포함하여 2차 칭량하는 단계, 및 2차 시드를 준비하는 단계를 포함하고, 상기 1차 시드는 (Bi0
15 15
제14항에 있어서, 상기 2차 시드를 준비하는 단계는, 상기 1차 시드 및 탄산 나트륨(Na2CO3) 및 염화 나트륨(NaCl)이 칭량된 혼합물을 975 ℃에서 6시간 동안 열처리가 수행되는, 비납계 압전 재료 조성물의 제조 방법
16 16
제1 물질층 및 상기 제1 물질층에 의해 둘러싸인 제2 물질층을 포함하는 비납계 압전 소자층; 및상기 압전 소자층의 제1 면에 배치된 제1 전극부; 및상기 제1 면에 대향하는 제2 면에 배치된 제2 전극부를 포함하고, 상기 압전 소자층은 화학식 1로 표시되는, 비납계 압전 소자
17 17
제16항에 있어서, 상기 x는 0
18 18
제16항에 있어서, 상기 제2 물질층은 NaNbO3 인, 비납계 압전 소자
19 19
제18항에 있어서, 상기 제2 물질층은 상기 화학식 1의 상기 비납계 압전 소자층에 대해서 3 내지 7 mol% 첨가된, 비납계 압전 소자
20 20
제19항에 있어서, 상기 제1 물질층은 상기 화학식 1에서 첨가된 상기 제2 물질의 함량만큼 조절된, 비납계 압전 소자
21 21
제16항에 있어서, 상기 제2 물질층은 10 내지 20μm의 크기를 갖는, 비납계 압전 소자
22 22
제16항에 있어서, 상기 제2 물질층의 종횡비는 10 내지 20의 범위를 갖는, 비납계 압전 소자
23 23
제16항에 있어서, 상기 제1 물질층은 (001) 단일 방향으로 결정 배향된 복수의 결정립을 포함하고, 상기 복수의 결정립의 내부에는 상기 제2 물질층이 배치되고, 상기 복수의 결정립은 상기 제2 물질층으로부터 반응하여 성장된, 비납계 압전 소자
24 24
화상을 표시하는 표시 패널; 및상기 표시 패널의 후면에 배치되고, 제16항 내지 제23항 중 어느 한 항에 따른 비납계 압전 소자를 포함하는, 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.