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이미지 센서; 및 섬광체 구조물을 1회 이상 적층한 구조물을 포함하고,상기 이미지 센서는 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지고,상기 섬광체 구조물은 방사선에 의해 1이상의 파장대에서 각 파장대의 가시광을 발생하고, 상기 이미지 센서는 각 픽셀에서 1이상의 파장대의 가시광을 센싱하되 각 파장대에서 더 높은 양자 효율을 갖도록 미리 선택된 유기 반도체로 구성한 각각의 유기 광다이오드를 이용하여 상기 섬광체 구조물로부터의 각 파장대의 가시광에 비례하는 각각의 전기적 신호를 독출하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 이미지 센서는, 비정질 실리콘 기반의 유기 광다이오드(OPD)-TFT(thin film transistor) 어레이를 포함하되,각 픽셀에서 유기 광다이오드(OPD)-TFT 연결 구조가 복수회 수직 적층되거나, 각 픽셀에 유기 광다이오드(OPD)-TFT 연결 구조 복수개가 수평으로 형성된 형태를 이용하여, 상기 복수의 파장대의 가시광을 센싱하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 방사선 디텍터는, R(Red), G(Green), B(Blue) 색상 중 1또는 2 이상의 조합에 대한 방사선 영상을 획득하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, R(Red) 가시광을 발생하는 제1구조물,G(Green)가시광을 발생하는 제2구조물,B(Blue) 가시광을 발생하는 제3구조물 중 1또는 2 이상의 조합을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, R(Red) 가시광을 발생하는 제1 섬광체 물질, G(Green) 가시광을 발생하는 제2 섬광체 물질, B(Blue) 가시광을 발생하는 제3 섬광체 물질 중 1또는 2 이상의 조합을 혼합한 물질로 형성된 방사선 디텍터
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제5항에 있어서,R(Red) 가시광을 발생하는 상기 제1 섬광체 물질은 Gd2O2S:Eu, Gd2O3:Eu, Y2O2S:Eu, (Y,Gd) 2O3:Eu 중 하나 이상을 포함하고,G(Green) 가시광을 발생하는 상기 제2 섬광체 물질은 Gd2O2S:Tb을 포함하며, B(Blue) 가시광을 발생하는 상기 제3 섬광체 물질은 CaWO4, BaFBr:Eu+CaWO4 중 하나 이상을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, 픽셀 구분이 없는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 섬광체 구조물은, 에어갭에 의해 구분된 섬광체 픽셀 어레이를 포함하는 방사선 디텍터
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제8항에 있어서,상기 에어갭에 충진된 투과 물질을 포함하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 방사선 디텍터를 보호하기 위한 봉지막을 더 포함하고,상기 봉지막은, 기판, 상기 기판 위의 상기 이미지 센서의 회로 어레이, 및 상기 회로 어레이 위의 상기 섬광체 구조물 전체를 상하좌우 모두 덮어 봉지하거나,상기 기판과 상기 섬광체 구조물을 제외하고, 상기 유기 광다이오드를 포함하는 상기 이미지 센서의 회로 부분의 측면을 덮어 봉지하는 방사선 디텍터
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제1항에 있어서,상기 유기 광다이오드는, 투명 금속으로 이루어진 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성된, 제1 유기 반도체와 제2 유기 반도체로 구현한 다이오드 구조를 포함하고, 상기 이미지 센서는 각 픽셀에서 서로 다른 각 파장대에서 더 높은 양자 효율을 갖도록 미리 선택된 상기 유기 반도체막의 다이오드 구조를 포함하는 방사선 디텍터
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제11항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 다이오드 구조사이, 또는 상기 제2 전극과 상기 다이오드 구조 사이에 형성된, 전자 또는 정공의 수송을 위한 버퍼층을 더 포함하는 방사선 디텍터
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