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광을 방출하는 광원;방출된 광을 분광하는 롱패스 빔 스플리터(Longpass Beam Splitter);발광 재료가 결합된 나노 입자 또는 나노 구조체; 및발광 재료가 결합된 나노 입자 또는 나노 구조체에 의해 산란되는 동시에 상기 발광 재료에서 발광이 발생되는 광을 분광하는 제 1 다이크로익 빔 스플리터(Dichroic Beam Splitter);를 포함하며,분광된 일부 광이 발광 재료가 결합된 나노 입자 또는 나노 구조체에 의해 산란되는 동시에 상기 발광 재료에서 발광이 발생되는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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제 1 항에 있어서,분광된 일부 광으로부터 상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치를 특정할 수 있는 산란광 신호를 측정하는 제 1 고감도 고속 광센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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제 2 항에 있어서,롱패스 필터를 통과한 분광된 다른 일부 광으로부터 상기 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 제 2 고감도 고속 광센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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제 2 항에 있어서,롱패스 필터를 통과한 분광된 다른 일부 광으로부터 상기 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 분광계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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5
제 2 항에 있어서,상기 제 1 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광된 다른 일부 광을 분광하는 제 2 다이크로익 빔 스플리터;를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광된 일부 광으로부터 상기 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 제 2 고감도 고속 광센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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7
제 6 항에 있어서,상기 제 2 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광된 다른 일부 광으로부터 상기 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 분광계;를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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8
제 7 항에 있어서,상기 제 2 다이크로익 빔 스플리터의 앞의 위치에 제 1 롱패스 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 고감도 고속 광센서의 앞의 위치 또는 상기 분광계의 앞의 위치에 하나 이상의 롱패스 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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10
제 7 항에 있어서,상기 제 2 고감도 고속 광센서의 앞의 위치에 제 2 롱패스 필터가 위치하고, 상기 분광계의 앞의 위치에 제 3 롱패스 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치에서 발생하는 제 1 발광 신호와 그 이외의 위치에서 발생하는 제 2 발광 신호를 비교하여 발광 조절 효율의 정량 분석을 수행하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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12
제 11 항에 있어서,상기 정량 분석은 하기식 1에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 시스템
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광원에 의해 광을 방출하는 단계(S100);롱패스 빔 스플리터에 의해 방출된 광을 분광하는 단계(S200);분광된 일부 광이 발광 재료가 결합된 나노 입자 또는 나노 구조체에 의해 산란되는 동시에 발광 재료에서 발광이 발생되는 단계(S300);산란되는 동시에 발광이 발생되는 일부 광을 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광하는 단계(S400); 및분광된 일부 광으로부터 제 1 고감도 고속 광센서에 의해 상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치를 특정할 수 있는 산란광 신호를 측정하는 단계(S500);를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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제 13 항에 있어서,롱패스 필터를 통과한 분광된 다른 일부 광으로부터 제 2 고감도 고속 광센서에 의해 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 단계(S600-1); 및상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치에서 발생하는 제 1 발광 신호와 그 이외의 위치에서 발생하는 제 2 발광 신호를 비교하여 발광 조절 효율의 정량 분석을 수행하는 단계(700-1);를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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15
제 13 항에 있어서,롱패스 필터를 통과한 분광된 다른 일부 광으로부터 분광계에 의해 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 단계(S600-2); 및상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치에서 발생하는 제 1 발광 신호와 그 이외의 위치에서 발생하는 제 2 발광 신호를 비교하여 발광 조절 효율의 정량 분석을 수행하는 단계(S700-2);를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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16
제 13 항에 있어서,분광된 다른 일부 광을 제 2 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광하는 단계(S600-3);상기 제 2 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광된 일부 광으로부터 제 2 고감도 고속 광센서에 의해 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 단계(S700-3);상기 제 2 다이크로익 빔 스플리터에 의해 분광된 다른 일부 광으로부터 분광계에 의해 발광 재료의 발광 신호를 측정하는 단계(S800-3); 및상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치에서 발생하는 제 1 발광 신호와 그 이외의 위치에서 발생하는 제 2 발광 신호를 비교하여 발광 조절 효율의 정량 분석을 수행하는 단계(S900-3);를 포함하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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제 16 항에 있어서,상기 제 2 다이크로익 빔 스플리터의 앞의 위치에 제 1 롱패스 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 2 고감도 고속 광센서의 앞의 위치 또는 상기 분광계의 앞의 위치에 하나 이상의 롱패스 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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제 18 항에 있어서,상기 제 2 고감도 고속 광센서의 앞의 위치에 제 2 롱패스 필터가 위치하고, 상기 분광계의 앞의 위치에 제 3 롱패스 필터가 위치하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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제 13 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 입자 또는 나노 구조체의 위치에서 발생하는 제 1 발광 신호와 그 이외의 위치에서 발생하는 제 2 발광 신호를 비교하여 발광 조절 효율의 정량 분석을 수행하는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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제 20 항에 있어서,상기 정량 분석은 하기식 1에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는,빔 스플리터를 이용한 나노 입자 또는 나노 구조체에서 발생된 분광 신호 분석 방법
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