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단백질 분리능을 갖는 자성 아가로스 비드로, 상기 자성 아가로스 비드는 내부에 상자성 산화철을 함유하고, 상기 자성 아가로스 비드의 표면에 그라프트된 브러쉬형 고분자와 금속이온 착화합물이 결합된 것을 특징으로 하는, 자성 아가로스 비드
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제1항에 있어서, 상기 브러쉬형 고분자는 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리아스팔트산, 폴리글루탐산, 폴리락트산, 히알루로닉산 및 알긴산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 자성 아가로스 비드
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제1항에 있어서, 상기 금속이온 착화합물은 이민 또는 아민 작용기를 갖는 화합물이 금속이온과 배위결합하여 형성된 것을 특징으로 하는 자성 아가로스 비드
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제3항에 있어서, 상기 금속이온과 배위결합하는 이민 또는 아민 작용기를 갖는 화합물은 Nα,Nα-비스(카르복시메틸)-L-리신 하이드레이트, 1,4,7,10-테트라아자사이클로도데칸, 디에틸렌트리아민펜타아세트산 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 자성 아가로스 비드
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제1항에 있어서, 상기 금속이온 착화합물은 Nα,Nα-비스(카르복시메틸)-L-리신 하이드레이트와 니켈(Ni)의 착화합물인 것을 특징으로 하는 자성 아가로스 비드
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제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항의 자성 아가로스 비드를 포함하는, 혼합물 중의 히스택(His-tag) 거대분자 분리 또는 정제용 조성물
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S1) 상자성 산화철을 아가로스 유화액과 혼합하여 상자성 산화철을 함유하는 자성 아가로스 비드(MAB)를 제조하는 단계;S2) 상기 자성 아가로스 비드와 브러쉬형 고분자 단량체를 반응시켜 브러쉬형 고분자가 그라프트된 자성 아가로스 비드를 얻는 단계; S3) 이민 또는 아민 작용기를 갖는 화합물을 상기 S2) 단계의 브러쉬형 고분자와 결합하는 단계; 및 S4) 상기 이민 또는 아민 작용기를 갖는 화합물과 착화합물을 형성하는 금속 이온을 반응시키는 단계를 포함하는, 금속이온 착화합물이 브러쉬형 고분자에 결합된 자성 아가로스 비드의 제조 방법
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제7항에 있어서, S1) 단계의 상기 아가로스 유화액은 유화액 총 중량 대비 1 내지 8 중량%의 아가로스를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속이온 착화합물이 브러쉬형 고분자에 결합된 자성 아가로스 비드의 제조 방법
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제7항에 있어서, S1) 단계는 상자성 산화철을 아가로스 유화액과 300 내지 1,000rpm의 교반속도로 22 내지 28℃의 온도에서 혼합하는 것을 특징으로 하는 금속이온 착화합물이 브러쉬형 고분자에 결합된 자성 아가로스 비드의 제조 방법
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제7항에 있어서, S2) 단계의 상기 자성 아가로스 비드와 반응시키는 브러쉬형 고분자의 단량체는 자성 아가로스 비드의 히드록실기에 대하여 10 내지 100 몰%의 비율로 반응시키는 것을 특징으로 하는 금속이온 착화합물이 브러쉬형 고분자에 결합된 자성 아가로스 비드의 제조 방법
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제7항에 있어서, S4) 단계의 금속이온은 니켈(Ni), 코발트 (Co), 철 (Fe) 및 구리 (Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 금속의 이온을 포함하는 금속이온 착화합물이 브러쉬형 고분자에 결합된 자성 아가로스 비드의 제조 방법
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히스택(His-tag) 거대분자의 정제 방법에 있어서, 제7항 내지 제11항 중 어느 하나의 제조방법으로 제조된, 금속이온 착화합물이 브러쉬형 고분자에 결합된 자성 아가로스 비드를 제공하는 단계;혼합물 중의 히스택(His-tag)된 거대분자를 상기 자성 아가로스 비드와 결합시켜 히스택(His-tag) 거대분자-자성 아가로스 비드 복합체를 제조하는 단계; 및상기 히스택(His-tag) 거대분자-자성 아가로스 비드 복합체를 외부 자장으로 혼합물에서 정제하는 단계를 포함하는, 히스택(His-tag) 거대분자의 정제 방법
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