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지지체 표면에 황화이온 용액을 도포하여 황화이온코팅층을 형성하는 제1코팅단계;상기 황화이온코팅층이 건조된 상태에서 그 표면에 양이온 용액을 도포하여 전구체산화물코팅층을 형성하는 제2코팅단계; 및상기 전구체산화물코팅층이 형성된 지지체를 열처리하여 치밀질 산화물 박막을 형성하는 열처리단계;를 포함하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 황화이온 용액에 포함된 용매와 상기 양이온 용액에 포함된 용매는 서로 섞이는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 제2코팅단계는 상기 황화이온코팅층에 양이온 용액을 도포한 후 일정시간 방치하는 단계; 및 상기 일정시간이 지나면 스핀 코팅하여 전구체산화물코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 전구체산화물코팅층은 상기 도포된 양이온 용액의 용매에 의해 유도된 상기 황화이온코팅층의 황화이온과 상기 양이온의 겔화반응을 통해 상기 황화이온코팅층과 통합된 상태로 상기 지지체 상에서 단층을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 전구체산화물코팅층은 상기 치밀질 산화물 박막을 이루는 산화물 결정구조와 일치하는 양이온 화학양론을 유지하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 열처리단계에서 상기 치밀질 산화물 박막은 상기 열처리를 통해 상기 전구체산화물코팅층을 형성하는 황화이온이 산소와 그대로 치환되면서 상기 전구체산화물코팅층이 상기 산화물 결정구조와 동일한 결정상으로 재배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 황화이온 용액의 농도는 상기 치밀질 산화물 박막을 이루는 산화물의 화학양론에 맞도록 상기 양이온 용액의 농도를 기준으로 결정되는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 황화이온 용액은 황화이온이 포함된 황화염 용액으로서, 상기 황화염은 Sodium Sulphide, Thioacetamide, Thiourea, Sodium N,N-diethyldi thiocarbamate로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리단계는 산소분위기에서 상기 지지체에 영향을 미치지 않는 승온속도로 600℃ 내지 1000℃로 승온된 후 10분 내지 6시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 양이온 용액은 Ba, Ce 및 Y를 포함하는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 양이온 용액은 Ba을 유기용매에 용해시켜 용액1을 준비하는 단계; Ce 및 Y을 염산과 유기용매가 혼합된 용매에 용해시켜 용액2를 준비하는 단계; 및 상기 용액1에 용액2를 서서히 투하하여 혼합하는 단계;를 포함하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 치밀질 산화물 박막을 이루는 산화물은 BaCe0
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1코팅단계를 수행하기 전에, 상기 지지체표면을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열처리단계를 수행하기 전에, 상기 제1코팅단계 및 제2코팅단계가 순차적으로 1회 이상 더 수행되는 것을 특징으로 하는 치밀질 산화물 박막 제조방법
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제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 치밀질 산화물 박막 제조방법에 따라 제1코팅층형성단계 및 제2코팅층형성단계 만을 수행하여 얻어진 전구체산화물코팅층
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제 15 항에 있어서,양이온과 황화이온이 겔화반응을 통해 통합된 상태로 포함되는 것을 특징으로 하는 전구체산화물코팅층
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