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교류 입력 전원과 직렬 연결되는 제1 인덕터,상기 교류 입력 전원과 일단이 연결되고 상기 제1 인덕터와 타단이 연결되는 양방향 스위치,제1 다이오드와 제2 다이오드가 직렬 연결된 제1 라인부,제3 다이오드와 제4 다이오드가 직렬 연결된 제2 라인부,제1 스위치와 제2 스위치가 직렬 연결된 제3 라인부, 및제2 인덕터를 포함하고,상기 제1 라인부, 상기 제2 라인부 및 상기 제3 라인부는 병렬 연결되며,상기 교류 입력 전원 및 상기 양방향 스위치의 접점은 상기 제1 다이오드 및 상기 제2 다이오드의 접점에 연결되고,상기 제1 인덕터 및 상기 양방향 스위치의 접점은 상기 제3 다이오드 및 상기 제4 다이오드의 접점에 연결되며,상기 제2 인덕터는 상기 제3 다이오드, 상기 제4 다이오드, 상기 제1 인덕터 및 상기 양방향 스위치의 접점과 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치의 접점 사이를 연결하는 회로
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제 1 항에서,상기 회로의 동작 모드는,상기 양방향 스위치가 온(on)되어 상기 제1 인덕터에 전류가 충전되는 제1 모드,상기 양방향 스위치가 오프(off)되어 상기 제1 인덕터에 충전된 전류가 상기 제3 다이오드 및 상기 제2 다이오드를 통해 출력으로 전달되는 제2 모드,상기 제2 스위치가 온되어 상기 제2 인덕터에 전류가 충전되는 제3 모드,상기 제2 인덕터의 전류가 상기 제1 인덕터의 전류보다 커지면 상기 제3 다이오드가 오프되고 상기 제4 다이오드가 온되어 상기 양방향 스위치로 전류가 흐르는 제4 모드, 및상기 제2 스위치가 오프되어 상기 제2 인덕터에 충전된 전류가 상기 제1 스위치의 바디 다이오드(body diode)를 통해 흐르고 상기 제1 인덕터에 전류가 충전되는 제5 모드를 포함하는 회로
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제 1 항에서,상기 회로의 동작 모드는,상기 양방향 스위치가 온되어 상기 제1 인덕터에 전류가 충전되는 제1 모드,상기 양방향 스위치가 오프되어 상기 제1 인덕터에 충전된 전류가 상기 제1 다이오드 및 상기 제4 다이오드를 통해 출력으로 전달되는 제2 모드,상기 제1 스위치가 온되어 상기 제2 인덕터에 전류가 충전되는 제3 모드,상기 제2 인덕터의 전류가 상기 제1 인덕터의 전류보다 커지면 상기 제4 다이오드가 오프되고 상기 제3 다이오드가 온되어 상기 양방향 스위치로 전류가 흐르는 제4 모드, 및상기 제1 스위치가 오프되어 상기 제2 인덕터에 충전된 전류가 상기 제2 스위치의 바디 다이오드를 통해 흐르고 상기 제1 인덕터에 전류가 충전되는 제5 모드를 포함하는 회로
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제 2 항 또는 제 3 항에서,상기 제1 다이오드, 상기 제2 다이오드, 상기 제3 다이오드 및 상기 제4 다이오드는 표준 회복 다이오드(Standard Recovery Diode)인 회로
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제 2 항 또는 제 3 항에서상기 제1 라인부, 상기 제2 라인부 및 상기 제3 라인부와 병렬 연결되는 커패시터를 더 포함하는 회로
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제 2 항 또는 제 3 항에서상기 양방향 스위치는 직렬 연결된 한 쌍의 트랜지스터와 상기 한 쌍의 트랜지스터 각각에 병렬 연결되는 한 쌍의 다이오드를 포함하고, 상기 한 쌍의 다이오드는 서로 역방향으로 연결되는 회로
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제 6 항에서상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 양방향 트랜지스터를 구성하는 트랜지스터는 IGBT(Insulated gate bipolar transistor), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor), BJT(Bipolar Junction Transistor), SiC FET 또는 GaN FET 인 회로
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