맞춤기술찾기

이전대상기술

HEMP 방호 기능을 가진 대역별 안테나 EMP 필터 장치

  • 기술번호 : KST2022009451
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 HEMP 방호 기능을 가진 대역별 안테나 EMP 필터 장치가 개시된다. 이 장치는 방전부, 대역통과 필터링부 및 잔류 전류 소거부를 포함한다. 방전부는 안테나의 RF(Radio Frequence) 신호를 입력받는 입력부를 통해 HEMP(High Altitude Electromagnetic Pulse)가 입력되는 경우, 상기 HEMP에 의한 과도 전압을 1차적으로 방전시킨다. 대역통과 필터링부는 상기 방전부에 의해 1차 방전된 잔류 전류를 2차적으로 차단하고 미리 설정된 주파수 대역의 신호만을 통과시켜서 출력부를 통해 출력한다. 잔류 전류 소거부는 상기 대역통과 필터링부를 통과하는 잔류 전류를 소거하여 상기 HEMP의 과도 전압을 제한한다.
Int. CL H01Q 1/26 (2006.01.01) H01Q 1/52 (2018.01.01)
CPC H01Q 1/26(2013.01) H01Q 1/526(2013.01)
출원번호/일자 1020200188239 (2020.12.30)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0096098 (2022.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.12.30)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손주항 대전광역시 유성구
2 박경제 경상남도 창원시 의창구
3 박용우 대전광역시 유성구
4 이동혁 대전광역시 유성구
5 김정섭 대전광역시 유성구
6 정길수 대전광역시 유성구
7 박재현 경상남도 창원시 의창구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1436266-93
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0192318-23
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.01.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2022.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0064970-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0303818-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-0659279-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0659280-97
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
안테나의 RF(Radio Frequence) 신호를 입력받는 입력부를 통해 HEMP(High Altitude Electromagnetic Pulse)가 입력되는 경우, 상기 HEMP에 의한 과도 전압을 1차적으로 방전시키는 방전부,상기 방전부에 의해 1차 방전된 잔류 전류를 2차적으로 차단하고 미리 설정된 주파수 대역의 신호만을 통과시켜서 출력부를 통해 출력하는 대역통과 필터링부, 그리고상기 대역통과 필터링부를 통과하는 잔류 전류를 소거하여 상기 HEMP의 과도 전압을 제한하는 잔류 전류 소거부를 포함하는 EMP 필터 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 방전부는 가스방전관을 이용하여 상기 HEMP에 의한 과도 전압을 방전시켜서 과도 전류를 1차적으로 제한하는,EMP 필터 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 대역통과 필터링부는 상기 방전부와 상기 출력부 사이에 직렬로 배치된 복수의 LC 회로로 구성된 대역통과필터를 포함하고,상기 복수의 LC 회로는,상기 방전부에 연결된 제1 LC 회로,상기 제1 LC 회로에 연결된 제2 LC 회로, 그리고상기 제2 LC 회로에 연결된 제3 LC 회로를 포함하며,상기 LC 회로는 인덕터와 커패시터가 직렬로 연결되어 있는 회로인,EMP 필터 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 잔류 전류 소거부는 상기 복수의 LC 회로 사이 각각과 접지 사이에 각각 연결된 복수의 잔류 전류 소거 회로를 포함하고,상기 잔류 전류 소거 회로는,상기 제1 LC 회로와 상기 제2 LC 회로를 연결하는 제1 연결점과 상기 접지 사이에 연결된 제1 잔류 전류 소거 회로, 그리고상기 제2 LC 회로와 상기 제3 LC 회로를 연결하는 제2 연결점과 상기 접지 사이에 연결된 제2 잔류 전류 소거 회로를 포함하는, EMP 필터 장치
5 5
제4항에 있어서,상기 복수의 잔류 전류 소거 회로 각각은,상기 복수의 LC 회로 사이의 연결점과 상기 접지 사이에 직렬로 연결된 복수의 제1 고속스위칭 다이오드 및 상기 복수의 제1 고속스위칭 다이오드 중 하나와 상기 접지 사이에 연결된 제1 커패시터, 그리고상기 복수의 LC 회로 사이의 연결점과 상기 접지 사이에 직렬로 연결된 복수의 제2 고속스위칭 다이오드 및 상기 복수의 제2 고속스위칭 다이오드 중 하나와 상기 접지 사이에 연결된 제2 커패시터를 포함하며,상기 복수의 제2 고속스위칭 다이오드는 상기 복수의 제1 고속스위칭 다이오드와 바이어스 방향이 반대인,EMP 필터 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 복수의 제1 고속스위칭 다이오드는 상기 복수의 LC 회로에 정극성의 HEMP가 입력되는 경우 턴온되어 작동되고, 상기 복수의 제2 고속스위칭 다이오드는 상기 복수의 LC 회로에 부극성의 HEMP가 입력되는 경우 턴온되어 작동됨으로써, 상기 복수의 LC 회로에 걸리는 전압이 복수의 고속스위칭 다이오드의 임계 전압을 넘지 않도록 과도 전압을 제한하는,EMP 필터 장치
7 7
제5항에 있어서,상기 제1 커패시터는 상기 복수의 제1 고속스위칭 다이오드에 임계 전압 이상의 출력이 들어오는 경우 출력 손실을 방지하도록 상기 제1 고속스위칭 다이오드와 상기 접지 사이에 배치되고,상기 제2 커패시터는 상기 복수의 제2 고속스위칭 다이오드에 임계 전압 이상의 출력이 들어오는 경우 출력 손실을 방지하도록 상기 제2 고속스위칭 다이오드와 상기 접지 사이에 배치되는,EMP 필터 장치
8 8
제5항에 있어서,상기 복수의 잔류 전류 소거 회로 각각은,상기 복수의 LC 회로 사이의 연결점과 상기 접지 사이에 병렬로 연결된 인덕터 및 커패시터를 더 포함하는, EMP 필터 장치
9 9
제5항에 있어서,상기 제1 고속스위칭 다이오드 및 상기 제2 고속스위칭 다이오드는 pF 이하 단위의 저누설전류형 다이오드이고, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터는 uF 단위의 고용량 커패시터인,EMP 필터 장치
10 10
제3항에 있어서,상기 방전부, 상기 대역통과 필터링부 및 상기 잔류 전류 소거부는,복사성 경로인 공간을 통해 외부에서 유입되는 HEMP의 영향을 제거하도록 차폐 구조를 갖는 하우징 내의 기판 상에 구현되는,EMP 필터 장치
11 11
제10항에 있어서,상기 대역통과 필터링부 및 상기 잔류 전류 소거부에 포함된 커패시터는 기생 성분을 최소화하도록 리드가 없는 SMD(Surface Mount Device) 타입의 MLCC(Multi Layer Ceramic Capacitor)이고, 인덕터는 고주파에도 인덕터 값이 일정한 공심 인덕터인,EMP 필터 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.