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(a) 이온성 액체 및 상기 이온성 액체에 분산된 금속 나노입자 전구체를 포함하는 분산액을 준비하는 단계; 및(b) 상기 분산액에 마이크로파를 조사하여 금속 나노입자를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 단계 (b)는 마이크로파의 출력을 조절하여 상기 금속 나노입자의 크기(size)를 제어하는 것이고,단계 (b)는 상기 마이크로파의 출력이 상기 분산액의 부피(mL) 당 3
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제1항에 있어서,단계 (b)는 상기 마이크로파의 조사가 0
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제6항에 있어서,단계 (b)는 상기 마이크로파의 조사가 50 내지 600초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제1항에 있어서,단계 (b)의 상기 분산액이 교반장치에 의해 교반되는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제8항에 있어서,상기 교반장치가 자력 교반기(magnetic stirrer)인 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서 상기 분산액에 포함된 상기 이온성 액체의 화학구조가 변형 또는 분해되지 않는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자 전구체가 트리루테늄도데카카르보닐(Triruthenium dodecacarbonyl, Ru3(CO)12), 크로뮴헥사카르보닐(Chromium hexacarbonyl, Cr(CO)6), 몰리브데넘헥사카르보닐(Molybdenum hexacarbonyl, Mo(CO)6), 텅스텐헥사카르보닐(Tungsten hexacarbonyl, W(CO)6), 티탄헵타카르보닐(Titanium heptacarbonyl, Ti(CO)7), 바나듐헥사카르보닐(Vanadium hexacarbonyl, V(CO)6), 다이망가니즈데카카르보닐(Dimanganese decacarbonyl, Mn2(CO)12), 다이레늄헥사카르보닐(Dirhenium hexacarbonyl, Re2(CO)12), 철펜타카르보닐(Iron pentacarbonyl, Fe(CO)5), 루테늄펜타카르보닐(Ruthenium pentacarbonyl, Ru(CO)5), 오스뮴펜타카르보닐(Osmium pentacarbonyl, Os(CO)5), 트리오스뮴도데카카르보닐(Triosmium dodecacarbonyl, Os3(CO)12), 트리철도데카카르보닐(Triiron dodecacarbonyl, Fe3(CO)12), 다이철노나카르보닐(Diiron nonacarbonyl, Fe2(CO)9), 테트라코발트도데카카르보닐(Tetracobalt dodecacarbonyl, Co4(CO)12), 테트라로듐도데카카르보닐(Tetrarhodium dodecacarbonyl, Rh4(CO)12), 헥사로듐헥사데카카르보닐(Hexarhodium hexadecacarbonyl, Rh6(CO)16), 테트라이리듐도데카카르보닐(Tetrairidium dodecacarbonyl, Ir4(CO)12), 다이코발트옥타카르보닐(Dicobalt octacarbonyl, Co2(CO)8), 니켈테트라카르보닐(Nickel tetracarbonyl, Ni(CO)4), 팔라듐테트라카르보닐(Palladium tetracarbonyl, Pd(CO)4) 및 백금테트라카르보닐(Platinum tetracarbonyl, Pt(CO)4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제1항에 있어서, 상기 이온성 액체가 N,N,N-트리메틸-N-프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드(TMPA-TFSI), N-메틸-N-프로필 피페리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄비스(트리플루오로메탄술포닐) 이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 테트라플루오로붕산염, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-에틸-3-메틸-이미다졸륨 클로라이드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(L)-유산염, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로 인산염, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로 붕산염(EMIM BF4), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로인산염, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로붕산염(BMIM BF4), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄설폰산염, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨(L)-유산염, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨클로라이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로 인산염, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로 붕산염, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄 설폰산염, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로 인산염, 1-디실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-테트라디실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-헥사데실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-옥타데실-3-메틸이미다졸륨클로라이드, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨클로라이드, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 테트라플루오로 붕산염, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄 설폰산염, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄 설폰산염, 1-에틸 피리디늄 브로마이드, 1-에틸 피리디늄 클로라이드, 1-부틸 피리디늄 브로마이드, 1-부틸 피리디늄 클로라이드, 1-부틸 피리디늄 헥사플루오로 인산염, 1-부틸 피리디늄 테트라플루오로 붕산염, 1-부틸 피리디늄트리플루오로메탄 설폰산염, 1-헥실 피리디늄 브로마이드, 1-헥실 피리디늄 클로라이드, 1-헥실 피리디늄 헥사플루오로 인산염, 1-헥실 피리디늄 테트라플루오로 붕산염, 및 1-헥실 피리디늄 트리플루오로메탄 설폰산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제13항에 있어서,상기 이온성 액체가 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로붕산염(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, BMIM BF4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자의 평균 입경이 0
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제15항에 있어서,상기 금속 나노입자의 평균 입경이 0
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제1항에 있어서,상기 금속 나노입자가 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 백금(Pt), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 인듐(In), 알루미늄(Al), 철(Fe), 로듐(Rh), 오스뮴(Os), 몰리브덴(Mo), 아연(Zn), 바나듐(V), 텅스텐(W), 티탄(Ti), 망간(Mn), 크롬(Cr) 및 상기 금속간 화합물 또는 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제14항에 있어서,상기 금속 나노입자가 루테늄(Ru)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자의 과성장 제어방법
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제1항의 금속 나노입자의 과성장 제어방법에 따라 과성장이 제어된 금속 나노입자
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제19항에 따른 과성장이 제어된 금속 나노입자를 포함하는 촉매
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