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제 1 기판 상에 전도성 고분자층을 형성하는 단계;상기 전도성 고분자층 상에 랜덤 패턴을 가지는 마스크를 배치한 후 레이저를 조사하는 단계;상기 전도성 고분자층 상에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상에 금속층을 형성하는 단계,를 포함하는,보안 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자층 상에, 상기 랜덤 패턴에 따라 레이저가 조사된 영역 및 조사되지 않은 영역 사이에 저항의 차이가 발생하는 것인, 보안소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 랜덤 패턴을 가지는 마스크는 제 2 기판 상에 스프레이로 잉크를 분사하여 제조하는 것인, 보안 소자 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 2 기판과 상기 스프레이의 거리, 상기 스프레이의 분사 압력 및 분사 시간을 조절하여 랜덤 패턴의 형상 및 밀도를 변화시켜 랜덤 패턴을 형성하는 것인, 보안소자 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 잉크는 가시광선 차단성 및/또는 전도성을 가지는 잉크인 것인, 보안소자 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 2 기판은 레이저 투과가 가능한 투명한 기판인 것인, 보안소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 기판은 실리콘(Si), 산화 실리콘(SiO2), 유리(Glass), 폴리이미드(Polyimide), 폴리디메틸실록산 (Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트 (Polyethylene naphthalate, PEN) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 기판을 포함하는 것인, 보안소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는 소정의 패턴에 따라 상기 절연층이 형성되는 것인, 보안 소자 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 소정의 패턴 상에 대응하여 상기 금속층이 형성되는 것인, 보안소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Au, Ag, Cu, Ni, Al, W, Zn, Fe, Pt, Sn, Pb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는 것인, 보안소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은 금속 산화물 또는 고분자 물질을 포함하는 것인, 보안소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophere poly(styrene sulfonate), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리사이오펜(polythiophene), 폴리에틸렌다이옥시사이오펜(poly(ethylenedioxy)thiophene, PEDOT), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리파라페닐렌 비닐렌(Poly(p-phenylene vinylene)), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 보안소자 제조 방법
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기판 상에 형성된 전도성 고분자층;상기 전도성 고분차층 상에 형성된 절연층; 및상기 절연층 상에 형성된 금속층;을 포함하고,상기 전도성 고분자층은 랜덤 패턴을 가지며, 상기 랜덤 패턴에 따른 저항의 차이를 가지는 것인,보안 소자
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제 13 항에 있어서, 상기 절연층은 패터닝된 것이고, 상기 금속층은 상기 패터닝에 대응하여 형성된 것인, 보안 소자
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제 13 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 보안 소자를 포함하는, 보안 시스템
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