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전이금속 칼코겐 화합물 나노시트;상기 나노시트 사이의 계면에 형성된 접합부,를 포함하며,상기 접합부는 상기 전이금속 칼코겐 화합물과 동일한 성분을 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 나노입자이며, 상기 나노입자에 의해 상기 나노시트 사이의 계면이 화학적으로 용접되는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 접합부에 의해서 상기 전이금속 칼코겐 화합물 나노시트 사이의 계면에서 발생하는 계면 저항이 감소하는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 접합부는 칼코겐 원소의 공공(Vacancy)이 존재하며, 상기 공공에 의해서 전하 운송이 촉진되는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 접합부에 의해서 근적외선 영역의 광흡수가 가능한 것인,2 차원 반도체 물질 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 나노시트는 적층 구조를 포함하는 것인, 2 차원 반도체 물질 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 나노시트는 하기 화학식 1 로서 표기되는 물질을 포함하는 것인,용접된 2 차원 반도체 물질 복합체:[화학식 1]AB2(식 중, A는 Mo, W, Te, Re, V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, 또는 Pt 이고,B는 S, Se 또는 Te임)
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물 나노입자는 하기 화학식 2 로서 표기되는 물질을 포함하는 것인,용접된 2 차원 반도체 물질 복합체:[화학식 2]A'B'2-x(식 중, A'는 Mo, W, Te, Re, V, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, 또는 Pt이고,B'는 S, Se 또는 Te이며,x는 0 초과 2 미만임)
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전이금속 칼코겐 화합물 및 상기 전이금속 칼코겐 화합물의 전구체를 포함하는 혼합 용액을 기판 상에 코팅하여 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막을 열처리하는 단계;를 포함하는,2 차원 반도체 물질 복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 열처리에 의해서 상기 전구체가 상기 전이금속 칼코겐 화합물 사이의 계면을 화학적으로 용접하여 접합부를 형성하는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 접합부는 상기 전이금속 칼코겐 화합물과 동일한 성분을 포함하는 전이금속 칼코겐 화합물 나노입자를 포함하는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 접합부에 의해서 추가 밴드 갭이 형성되는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 열처리를 수행하는 온도가 증가할수록 상기 2 차원 반도체 물질 복합체의 흡광도가 증가하는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 코팅은 진공 여과에 의해 수행되는 것인,2 차원 반도체 물질 복합체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 7 항에 중 어느 한 항에 따른 2 차원 반도체 물질 복합체를 포함하는 광검출 소자
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