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기판상에 기상공정을 이용하여 SnI2 박막을 형성하는 제 1공정; 상기 형성된 SnI2 박막상에 기상공정을 이용하여 기화된 C8H9NH3I (PEAI)를 반응시켜 PEA2SnI4 페로브스카이트 박막을 형성하는 제 2공정; 및 상기 형성된 PEA2SnI4/SnI2 박막상에 기화된 CH3NH3I (MAI)를 반응시켜, 상기 제2공정에서 미반응 상태로 남아 있는 SnI2 박막을 MASnI3 페로브스카이트 박막으로 변환시키는 제 3공정;을 포함하는 유무기 혼합 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1공정 및 제 2공정은 PVD (PHYSICAL VAPOR DEPOSITION) 기상공정을 이용하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유무기 혼합 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 3공정은 CVD (CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) 기상 공정을 이용하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유무기 혼합 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 3공정에서, 기판 반응 온도를 60~80℃의 온도로 제어함을 특징으로 하는 유무기 혼합 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1공정의 SnI2 박막의 두께는 100~200nm이고, 상기 제 2공정의 PEAI 증착두께는 8~32nm인 것을 특징으로 하는 유무기 혼합 페로브스카이트 박막의 제조방법
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제 1항의 제조방법으로 제조된 유무기 혼합 페로브스카이트 박막을 포함하는 태양전지
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