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기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 희생층, 제1 태양전지 셀, 제2 태양전지 셀, 제1 반도체층, 그레이딩층, 역 스트레인층, 윈도우층, 제3 태양전지셀 및 BSF층을 포함하며,상기 역스트레인층은 격자 상수가 증가하다 감소하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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2
제1항에 있어서,상기 역 스트레인층은, GaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제1항에 있어서,상기 윈도우층은,n형 GaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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제1항에 있어서,상기 에미터층은,n형 GaInAs로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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5
제1항에 있어서,상기 베이스층은,p형 GaInAs로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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6
제1항에 있어서,상기 역 스트레인층은,복수의 오버슈팅 층(Overshooting Layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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7
기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 희생층, 제1 태양전지 셀, 제2 태양전지 셀, 제1 반도체층, 그레이딩층, 역 스트레인층, 윈도우층, 제3 태양전지셀 및 BSF층을 포함하며,상기 역스트레인층은,상기 그레이딩층 상에 적층되며 상기 그레이딩층보다 큰 격자상수를 갖는 제1 오버슈팅 층(Overshooting Layer), 상기 제1 오버슈팅층 상에 적층되며 상기 제1 오버슈팅층보다 더 큰 격자상수를 갖는 제2 오버슈팅층 및 상기 제2 오버슈팅층 상에 적층되며 상기 제2 오버슈팅층보다 작은 격자상수를 갖는 제3 오버슈팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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8
제7항에 있어서,상기 역 스트레인층은, GaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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9
제7항에 있어서,상기 윈도우층은,n형 GaInP로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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10
제7항에 있어서,상기 에미터층은,n형 GaInAs로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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11
제7항에 있어서,상기 베이스층은,p형 GaInAs로 구현되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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12
제7항에 있어서,상기 제3 오버슈팅층은,상기 제1 오버슈팅층과 동일한 격자상수를 갖는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지
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