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가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지에 있어서,복수의 비아홀이 형성되고, 내부 공간상에 기설정된 높이를 갖는 지지턱이 형성된 제1 기판; 제1 기판상에 배치되고, 기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원;상기 제1 기판의 비아홀을 통해 상기 광원과 연결되는 제1 전극;상기 제1 기판의 지지턱에 안착되어 상기 광원과 기 설정된 이격 거리를 두고 배치되는 제2 기판;상기 제2 기판의 하면에서 상기 광원과 마주보도록 배치되어, 상기 특정 성분을 센싱하는 센싱물질; 상기 제1 기판의 비아홀을 통해 상기 센싱 물질과 연결되어, 상기 센싱 물질의 센싱에 의해 변화되는 저항값을 감지하는 제2 전극; 및상기 제1 기판의 상부에 위치하고, 가스가 통과되는 적어도 하나 이상의 통공홀이 형성된 윈도우 캡을 포함하는 것인, 가스센서 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 세라믹 재질로 형성되고, 상기 제2 기판은 쿼츠 재질로 형성되는 것인, 가스센서 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제2 기판상에 상기 센싱 물질의 전기 저항 변화를 측정하기 위한 감지 패턴이 패터닝되고, 상기 센싱 물질은 상기 감지 패턴 영역에 도포되고,상기 제2 전극은 상기 비아홀을 통해 상기 감지 패턴과 연결되어 상기 제1 기판의 하부면에 형성되는 것인, 가스센서 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 상부면이 개방되고, 상기 비아홀을 제외한 하부면과 양측면이 폐쇄되어 내부 공간을 형성하고, 상기 지지턱은 상기 제2 기판의 가장자리를 지지하도록 상기 내부 공간의 내측으로 돌출된 것인, 가스센서 패키지
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제4항에 있어서, 상기 지지턱은 상기 제1 기판의 하부에서 상부로 갈수록 좁아지도록 경사지게 형성된 것인, 가스센서 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제2 기판은 일자(ㅡ) 형태, 사각형 형태 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것인, 가스센서 패키지
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제6항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 센싱 물질이 도포되는 중심부와 양끝단부를 제외한 나머지 영역에 적어도 하나 이상의 에어홀이 형성된 것인, 가스센서 패키지
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제1항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 센싱 물질이 도포된 중심면을 기준으로 적어도 하나 이상의 에어홀이 양측면에 대칭적으로 형성된 브릿지 형태로 형성되는 것인, 가스센서 패키지
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제8항에 있어서, 상기 제2 기판은 복수의 센싱 물질이 도포된 멀티-브릿지 형태로 형성되는 것인, 가스센서 패키지
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가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지의 제조 방법에 있어서,a) 복수의 비아홀이 형성되고, 내부 공간상에 기설정된 높이를 갖는 지지턱이 형성된 제1 기판에 광원을 설치하는 단계;b) 상기 제1 기판의 비아홀을 통해 상기 광원에 전원을 인가하기 위한 제1 전극을 연결하는 단계;c) 제2 기판의 하면에서 상기 광원과 마주보도록 특정 성분을 센싱하는 센싱 물질이 도포되고, 상기 센싱 물질이 도포된 제2 기판이 상기 센싱 물질과 상기 광원이 마주보도록 상기 제1 기판의 지지턱에 안착되는 단계; 및 d) 상기 제1 기판의 비아홀을 통해 상기 센싱 물질의 센싱값을 인지하기 위한 제2 전극이 연결되는 단계를 포함하는 것인, 가스센서 패키지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 기판은 상부면이 개방되고, 상기 비아홀을 제외한 하부면과 양측면이 폐쇄되어 내부 공간을 형성하고, e) 상기 제1 기판의 상부면에 가스가 통과되는 적어도 하나 이상의 통공홀이 형성된 윈도우 캡이 설치되는 단계를 더 포함하는 것인, 가스센서 패키지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 c) 단계는, 상기 제2 기판상에 상기 센싱 물질의 전기 저항 변화를 측정하기 위한 감지 패턴이 패터닝되고, 상기 센싱 물질은 상기 감지 패턴 영역에 도포되고,상기 제2 전극은 상기 비아홀을 통해 상기 감지 패턴과 연결되어 상기 제1 기판의 하부면에 형성되는 것인, 가스센서 패키지의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 센싱 물질은,산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 일부 또는 전부를 포함하는 것인, 가스센서 패키지의 제조 방법
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