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도핑된 n형 III-질화물 반도체층의 제1부분 상에 상기 제1부분과 이어지는 도핑된 n형 III-질화물 반도체층의 제2부분을 포함하는 다수 개의 LED 구조물이 형성된 LED 웨이퍼로부터 상기 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법으로서,(1) 다수 개의 LED 구조물 각각의 노출면을 둘러싸되, 인접하는 LED 구조물 사이의 제1부분 상부면은 외부에 노출되도록 보호피막을 형성시키는 단계;(2) LED 웨이퍼를 전해액에 함침 후 전원의 어느 한 단자와 전기적 연결시키 전원의 나머지 단자를 상기 전해액에 함침된 전극에 전기적 연결시킨 뒤, 전원을 인가하여 상기 제1부분에 다수 개의 기공을 형성시키는 단계; 및(3) 상기 LED 웨이퍼에 초음파를 인가하여 다수 개의 기공이 형성된 제1부분으로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리시키는 단계;를 포함하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 다수 개의 LED 구조물 각각은 도핑된 n형 III-질화물 반도체층의 제2부분 상에 적층된 광활성층 및 p형 III-질화물 반도체층을 더 포함하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서다수 개의 LED 구조물이 형성된 LED 웨이퍼는,a) 기판, 도핑된 n형 III-질화물 반도체층, 광활성층 및 p형 III-질화물 반도체층을 포함하며, 기판 상에 층들이 적층된 LED 웨이퍼를 준비하는 단계; 및b) 낱 개의 LED 구조물에서 층들이 적층되는 방향에 수직한 평면이 목적하는 모양과 크기를 갖도록 LED 웨이퍼 상부를 패터닝 한 후 도핑된 n형 III-질화물 반도체층 적어도 일부 두께까지 수직방향으로 식각하여 다수 개의 LED 구조물을 형성시키는 단계;를 포함하여 형성되는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 보호피막은 (2) 단계 수행으로 인한 LED 구조물의 손상을 방지하기 위한 기능을 갖는 것인 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계의 보호피막은 (2) 단계 수행으로 인한 LED 구조물의 손상을 방지하기 위한 임시 보호피막이며, (2) 단계와 (3) 단계 사이에 상기 임시 보호피막을 제거 후 LED 구조물의 측면을 둘러싸는 표면 보호피막을 형성시키는 단계를 더 포함하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 제1부분과 이어지는 상기 LED 구조물 밑면의 면적이 25㎛２이하인 것을 특징으로 하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 보호피막은 두께가 5 ~ 100㎚인 것을 특징으로 하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 보호피막은 질화규소(Si3N4), 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화지르코늄(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3), 산화란타늄(La2O3), 산화스칸듐(Sc2O3) 및 이산화티타늄(TiO2), 질화알루미늄(AlN) 및 질화갈륨(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (2) 단계는 3V 이상의 전압을 1 분 ~ 24 시간 동안 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 전해액은 옥살산, 인산, 아황산, 황산, 탄산, 아세트산, 아염소산, 염소산, 브롬산, 아질산 및 질산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 산소산을 포함하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (2) 단계에서 상기 다수 개의 기공은 공경이 100nm 이하인 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (3) 단계는 LED 웨이퍼를 기포형성 용액에 침지시킨 후 상기 기포형성 용액에 초음파를 인가하여 생성된 기포가 기공에서 터질 때 발생하는 에너지를 통해 기공을 붕괴시켜서 다수 개의 LED 구조물을 분리시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제12항에 있어서,기포가 붕괴 시 높은 압력과 온도를 생성하는 국부적인 핫스팟이 되도록 기포를 성장 및 붕괴 시키기 위하여 상기 기포형성 용액에 인가되는 초음파 주파수는 20 KHz ~ 2 MHz 인 것을 특징으로 기포를 형성해서 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 (1) 단계는다수 개의 LED 구조물 각각의 측면을 둘러싸는 보호피막이 형성되도록 LED 웨이퍼 상에 보호피막을 형성시키는 단계; 및인접하는 LED 구조물 사이의 제1부분 상부면이 노출되도록 인접하는 LED 구조물 사이의 제1부분 상부면에 형성된 보호피막을 제거하는 단계;를 포함하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항에 있어서,상기 (2) 단계와 (3) 단계 사이에,각각의 LED 구조물 상부에 형성된 보호피막을 제거하는 단계; 및LED 구조물 상부에 제1전극을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 웨이퍼로부터 다수 개의 LED 구조물을 분리하는 방법
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제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따라서 제조되는 LED 구조물 집합체
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