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이온성 곁가지를 포함하는 고성능 자가치유 고분자 젤 전해질

  • 기술번호 : KST2022009926
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에서는, 이온성 곁가지를 포함하는 고성능 자가치유 고분자 젤 전해질로서, 이온성 도메인 및 비이온성 도메인을 포함하는 공중합체; 및 이온성 액체;를 포함하며, 상기 이온성 도메인의 이온성 모이어티와 이온성 액체가 결합하여 형성된 복수의 이온 클러스터(IC)를 갖는, 고분자 젤 전해질이 제공된다.
Int. CL C08F 220/60 (2006.01.01) C08F 220/18 (2006.01.01) H01B 1/12 (2006.01.01) H01M 10/0565 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210172140 (2021.12.03)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0080715 (2022.06.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200169718   |   2020.12.07
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문홍철 서울특별시 동대문구
2 김용민 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최우성 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, *층 (수송동, 석탄회관빌딩)(케이씨엘특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2021-1406154-75
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2021-1415022-68
3 보정요구서
Request for Amendment
2021.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0191965-68
4 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2021.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-1443004-47
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.01.25 수리 (Accepted) 4-1-2022-5020718-60
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
화학식 1로 표시되는 고분자 젤 전해질용 랜덤 공중합체
2 2
이온성 도메인 및 비이온성 도메인을 포함하는 공중합체; 및이온성 액체;를 포함하며,상기 이온성 도메인의 이온성 모이어티와 이온성 액체가 결합하여 형성된 복수의 이온 클러스터(IC)를 갖는, 고분자 젤 전해질
3 3
제2항에 있어서,상기 공중합체는 화학식 1로 표시되는 랜덤 공중합체인, 고분자 젤 전해질
4 4
제3항에 있어서,상기 화학식에서, R11 및 R21는 각각 독립적으로 수소(H), 메틸기(CH3), 에틸기(C2H5), 프로필기(C3H7), 부틸기(C4H9), 펜틸기(C5H11), 및 헥실기(C6H13) 중에서 선택되는 하나이고,R12는 암모늄기(ammonium), 이미다졸륨기(imidazolium), 디아릴디메틸암모늄기(diallyldimethylammonium), 피리디늄기(pyridinium), 및 포스포늄기(phosphonium) 중에서 선택되는 하나인, 고분자 젤 전해질
5 5
제2항에 있어서,상기 고분자 젤 전해질은 이온 클러스터의 형성(formation)과 해리(dissociation)를 통하여 자가 치유되는, 고분자 젤 전해질
6 6
제2항에 있어서,상기 공중합체에서 이온성 도메인과 비이온성 도메인의 몰 분율이 80:20 내지 95:5 범위인, 고분자 젤 전해질
7 7
제2항에 있어서,상기 이온성 액체는 비스트리플루오로메틸설포닐이미다이즈 N-메틸-N-부틸-피롤리디늄 (Bistrifluoromethylsulfonylimides N-methyl-N-butyl-pyrrolidinium, [P14][TFSI]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [EMI][TFSI]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, [EMI][PF6]), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, [EMI][BF4]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-butyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [BMI][TFSI]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, [BMI][PF6]), 1-뷰틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, [BMI][BF4]), 1-뷰틸-트리메일암모니움 비스(트리플루오로메틸 술포닐)이미드 (1-butyl-trimethylammonium bis(trifluoromethyl sulfonyl)imide, [N1114][TFSI]), 및 메틸-프로필 피롤리디늄 비스(트리플루오로메틸 술포닐)이미드 (methyl-propylpyrrolidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, [PYR13][TFSI]) 중 선택되는 하나 이상인, 고분자 젤 전해질
8 8
제2항에 있어서,상기 공중합체와 이온성 액체는 3:7 내지 7:3 범위의 몰 비율을 갖는, 고분자 젤 전해질
9 9
제2항에 있어서,상기 고분자 젤 전해질은 유전체 이완 분광법(DRS)에서 101 내지 107 rad/s의 주파수 범위로 가변 전압 (AC voltage)을 가할 때 이온이 분극되는, 고분자 젤 전해질
10 10
제2항에 있어서,상기 고분자 젤 전해질은 -20℃ 이상의 유리전이온도(Tg)를 갖는, 고분자 젤 전해질
11 11
제2항에 있어서,상기 고분자 젤 전해질은 상온 및 상압 조건에서 1분 이내에 90%이상의 자가 치유율을 갖는, 고분자 젤 전해질
12 12
제2항 내지 제11항 중 어느 한 항의 고분자 젤 전해질을 포함하는, 전자 소자
13 13
제12항에 있어서,상기 전자 소자는 스트레인 센서 또는 전계 발광 디바이스인, 전자 소자
14 14
제2항 내지 제11항 중 어느 한 항의 고분자 젤 전해질의 제조 방법으로서,이온성 단량체 및 비이온성 단량체를 포함하는 혼합물을 중합하여 공중합체를 제조하는 단계; 및상기 공중합체와 이온성 액체를 혼합하는 단계;를 포함하는, 고분자 젤 전해질 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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